功率mosfet,功率mosfet的分類,功率mosfet參數(shù)指標等
功率MOSFET可分成兩類：P溝道及N溝道：中間箭頭向里的是N溝道而箭頭向外的是P溝道。它有三個極：漏極（D）。源極（S）及柵極（G）。有一些功率MOS-FET內(nèi)部在漏源極之間并接了一個二極管或肖特基二極管，這是在接電感負載時，防止反電勢損壞 MOSFET。
這兩類MOSFET的工作原理相同，僅電源電壓控制電壓的極性相反。
截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P 基區(qū)與N 漂移區(qū)之間形成的PN 結(jié) J 1 反偏，漏源極之間無電流流過。
導(dǎo)電：在柵源極間加正電壓 U GS ，柵極是絕緣的，所以不會有柵極電流流過。但柵極的正電壓會將其下面 P 區(qū)中的空穴推開，而將 P 區(qū)中的少子—電子吸引到柵極下面的 P 區(qū)表面,當 U GS 大于 U T （開啟電壓或閾值電壓）時，柵極下 P 區(qū)表面的電子濃度將超過空穴濃度，使 P 型半導(dǎo)體反型成 N 型而成為反型層，該反型層形成 N 溝道而使 PN 結(jié) J 1 消失，漏極和源極導(dǎo)電。
1、mosfet是電壓控制型器件，因此在驅(qū)動大電流時無需推動級。電路較簡單
2、輸入阻抗高，可達108Ω以上
3、工作頻率范圍寬，開關(guān)速度高（開關(guān)時間為幾十納秒到幾百納秒），開關(guān)損耗小
4、有較優(yōu)良的線性區(qū)，并且mosfet的輸入電容比雙極型的輸入電容小得多，所以它的交流輸入阻抗極高，噪聲也小，最適合制作Hi-Fi音響
