閃速存儲器,閃速存儲器的分類,閃速存儲器參數(shù)指標等
閃速存儲器的基本存儲器單元結(jié)構如圖1所示。一眼看上去就是n溝道的MOSFET那樣的東西，但又與普通的FET不同，特點是在柵極（控制柵）與漏極／源極之間存在浮置柵，閃速存儲器利用該浮置柵存儲記憶。
圖1 閃速存儲器的單元結(jié)構
浮置柵被設計成可以存儲電荷的構造，柵極及主板利用氧化膜進行了絕緣處理，一次積累的電荷可以長時間（10年以上）保持。當然，如果氧化膜存在缺陷，或者由于某種原因使絕緣膜遭到破壞，那么閃速存儲器將失去記憶。同時，因為熱能必定致使電荷以某概率發(fā)生消減，因此數(shù)據(jù)保存的時間將受到溫度的影響。
下面，我們將進一步討論閃速存儲器的擦除與寫人的原理。
我們知道，數(shù)據(jù)的寫人與擦除是通過主板與控制柵之間電荷的注人與釋放來進行的。例如，一般的NOR閃速存儲器在寫人時提高控制柵的電壓，向浮置柵注人電荷（圖2）。而數(shù)據(jù)的擦除可以通過兩種方法進行。一種方法是通過給源極加上＋12V左右的高電壓，釋放浮置柵中的電荷（Smart Voltage Regulator）；另一種方法是通過給控制柵加上負電壓（-10V左右），擠出浮置柵中的電荷（負極門擦除法）。各種電壓提供方式如圖3所示。
圖2 閃速存儲器的寫入操作
圖3 閃速存儲器的擦除操作
圖4圖示了閃速存儲器單元的電壓－電流特性。浮置柵的電荷可抵消提供給控制柵的電壓。也就是說，如果浮置柵中積累了電荷，則閾值電壓（Vth）增高。與浮置柵中沒有電荷時的情況相比，如果不給控制柵提供高電壓，則漏極－源極間不會處于導通的狀態(tài)。因此，這是判斷浮柵中是否積累了電荷，也就是判斷是“1”還是“0”的機制。
