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EMC測(cè)試,EMC測(cè)試的分類,EMC測(cè)試參數(shù)指標(biāo)等
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EMC測(cè)試,EMC測(cè)試的分類,EMC測(cè)試參數(shù)指標(biāo)等  2011/10/3

目錄

  • EMC測(cè)試主要分類
  • EMC測(cè)試的條件與方法
  • EMC測(cè)試項(xiàng)目與要求
  • EMI測(cè)定相關(guān)規(guī)范
  • 單片機(jī)的EMC測(cè)試及EMC故障排除
EMC測(cè)試

EMC測(cè)試主要分類

  •   1.EMI(Electro-Magnetic Interference)---電磁騷擾測(cè)試

      此測(cè)試之目的為:檢測(cè)電器產(chǎn)品所產(chǎn)生的電磁輻射對(duì)人體、公共電網(wǎng)以及其他正常工作之  電器產(chǎn)品的影響。

      EMI測(cè)試主要包含什么內(nèi)容?

      Radiated Emission -輻射騷擾測(cè)試

      Conducted Emission-傳導(dǎo)騷擾測(cè)試

      Harmonic-諧波電流騷擾測(cè)試

      Flicker-電壓變化與閃爍測(cè)試

      2. EMS(Electro-Magnetic Susceptibility)---電磁抗擾度測(cè)試

      此測(cè)試之目的為:檢測(cè)電器產(chǎn)品能否在電磁環(huán)境中穩(wěn)定工作,不受影響。

      EMS測(cè)試主要包含什么內(nèi)容?

      ESD-靜電抗擾度測(cè)試

      RS-射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度測(cè)試

      CS-射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度測(cè)試

      DIP-電壓暫降,短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度測(cè)試

      SURGE-浪涌(沖擊)抗擾度測(cè)試

      EFT-電快速瞬變脈沖群抗擾度測(cè)試

      PFMF-工頻磁場(chǎng)抗擾度測(cè)試

      雜散定義:指用標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試信號(hào)調(diào)制時(shí)在除載頻和由于正常調(diào)制和切換瞬態(tài)引起的邊帶及鄰道以外    離散頻率上的輻射(既遠(yuǎn)端輻射)。雜散輻射按其來源可分為傳導(dǎo)型和輻射型兩種。

      傳導(dǎo)雜散:指在天線的接頭處50歐姆負(fù)載上測(cè)得的任意離散信號(hào)的電平功率。

      輻射雜散:測(cè)試設(shè)備的機(jī)殼、結(jié)構(gòu)及互連電纜引起的雜散騷擾。測(cè)試條件首選在電波暗室內(nèi)進(jìn)行,或是在戶外進(jìn)行。

EMC測(cè)試的條件與方法

  •   測(cè)試依賴3個(gè)方面因素:方法、技術(shù)、設(shè)備。方法由測(cè)量原理和測(cè)試設(shè)備的使用方法兩者來確定,技術(shù)是為了得到正確的測(cè)試結(jié)果(較高的準(zhǔn)確度)而采取的一切測(cè)試手段,設(shè)備則是體現(xiàn)上述兩個(gè)因素為測(cè)試服務(wù)的一切技術(shù)裝置。這些都必須標(biāo)準(zhǔn)化,以保證測(cè)試具有重現(xiàn)性和真實(shí)性。

      EMC測(cè)試條件由測(cè)試方法決定。具體測(cè)試方法分為在實(shí)驗(yàn)室條件下進(jìn)行的試驗(yàn)臺(tái)法和在實(shí)際使用條件下進(jìn)行的現(xiàn)場(chǎng)法。要模擬現(xiàn)場(chǎng)可能碰到的所有干擾現(xiàn)象是不可能的,特別是現(xiàn)場(chǎng)法具有無法克服的局限性。但通過標(biāo)準(zhǔn)化的測(cè)試可以較全面地獲取被測(cè)設(shè)備EMC性能如何的信息。為此,國(guó)際上推薦首先采用試驗(yàn)臺(tái)法,除非無法在實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行,一般不用現(xiàn)場(chǎng)法。

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