中央處理器,中央處理器的分類,中央處理器參數(shù)指標等
取指令:發(fā)出指令地址和訪存控制信號
分析指令:或叫解釋指令,指令譯碼,指出要作什么操作,并產(chǎn)生相應(yīng)的操作控制命令;如數(shù)據(jù)在存儲器中,需形成操作數(shù)地址.
執(zhí)行指令:根據(jù)“操作命令”和“操作數(shù)地址”形成操作控制信號序列,通過CPU或I/O設(shè)備執(zhí)行,還包括對運算結(jié)果的處理和下條指令地址的形成.
控制程序和數(shù)據(jù)的輸入和輸出
對異常情況和某些請求進行處理:即異常和中斷的處理.
總線控制邏輯
ALU：功能：操作數(shù)來源（1個）
指令譯瑪器：功能；輸入；輸出
操作控制器：功能；輸入；輸出
時序產(chǎn)生器：功能
寄存器
通用寄存器
PSW：信息來源（1個）；信息去向（操作控制器）；保存由算術(shù)指令和邏輯指令運算或測試結(jié)果建立的各種條件碼，例如8086的PSW：進位標志（CF）、溢出標志（OF），運算結(jié)果為0標志（ZF），運算結(jié)果為負標志（SF），是否允許外部中斷（IF）等。
DR：信息來源（3個）；信息去向（1個）；
IR：功能；信息來源；信息去向
PC：功能；信息去向
AR：功能；信息去向
● 光刻蝕
這是目前的CPU制造過程當中工藝非常復(fù)雜的一個步驟，為什么這么說呢？光刻蝕過程就是使用一定波長的光在感光層中刻出相應(yīng)的刻痕， 由此改變該處材料的化學(xué)特性。這項技術(shù)對于所用光的波長要求極為嚴格，需要使用短波長的紫外線和大曲率的透鏡。刻蝕過程還會受到晶圓上的污點的影響。每一步刻蝕都是一個復(fù)雜而精細的過程。設(shè)計每一步過程的所需要的數(shù)據(jù)量都可以用10GB的單位來計量，而且制造每塊處理器所需要的刻蝕步驟都超過20步（每一步進行一層刻蝕）。而且每一層刻蝕的圖紙如果放大許多倍的話，可以和整個紐約市外加郊區(qū)范圍的地圖相比，甚至還要復(fù)雜，試想一下，把整個紐約地圖縮小到實際面積大小只有100個平方毫米的芯片上，那么這個芯片的結(jié)構(gòu)有多么復(fù)雜，可想而知了吧。
單晶硅錠和最初的核心架構(gòu)
當這些刻蝕工作全部完成之后，晶圓被翻轉(zhuǎn)過來。短波長光線透過石英模板上鏤空的刻痕照射到晶圓的感光層上，然后撤掉光線和模板。通過化學(xué)方法除去暴露在外邊的感光層物質(zhì)，而二氧化硅馬上在陋空位置的下方生成。
