晶片,晶片的分類,晶片參數(shù)指標(biāo)等
1.電極的材質(zhì)：鋁或金
2.焊單線晶片上面電極外形：
3．焊單線晶片下面電極的外形
4.晶片的顏色：紅色不透明，紅色透明，暗紅色，黑色，白色透明 等
5.晶片尺寸定義：以晶片底部尺寸較大的那條邊尺寸為準(zhǔn)
6.焊單線晶片電極特性：正極性晶片及反極性晶片
7.晶片電極的連接及對(duì)發(fā)光的影響
(1) 上面電極用來(lái)焊接金線或鋁線，電極太大會(huì)影響發(fā)光效率，電極太小使電流 不能流到晶片全體，同樣也會(huì)影響發(fā)光效率。
(2) 下面電極通過(guò)銀膠與支架或 PCB 接觸，它是用來(lái)使電流均勻流到晶片內(nèi)，下 面電極有圓形，格子狀或全面電極，全面電極導(dǎo)電性好，但對(duì)光的吸收要太 于前兩種形狀。
1．伏安特性
2．順向電壓（VF）：施加在晶片兩端，使晶片正向?qū)ǖ碾妷骸４穗妷号c晶片 本身有關(guān)，與測(cè)試電流也有關(guān)。順向電壓過(guò)大，會(huì)使晶片被擊穿。單位：V
3．順向電流（IF）：晶片在施加一定電壓后，所產(chǎn)生的正向?qū)娏鳌?順向電流的大小，與順向電壓的大小有關(guān)。晶片的工作電流在 10-20mA 左右。單 位：mA
4．反向電壓（VR）：施加在晶片上的，晶片保持截止?fàn)顟B(tài)的電壓。
5．反向電流（IR）：指的是晶片施加反向電壓所產(chǎn)生的電流，此電流越小越好。 此電流過(guò)大容易造成反向擊穿。
6．亮度（IV）：指的是光源的明亮程度。 單位換算：1cd=1000mcd 1mcd=1000cd 7.波長(zhǎng)（HUE）：反映晶片發(fā)光顏色。單位：nm 波長(zhǎng)不同晶片，其發(fā)光顏色不同。
8．不同波長(zhǎng)光的定義
（1）波長(zhǎng)大于 0.1mm 電波
�。�2）760 nm –0.1mm 紅外光
�。�3）380 nm -760nm 可見光
（4）10 nm-380 nm 紫外光
1、來(lái)料資料有無(wú)規(guī)格書（沒(méi)有規(guī)格書不建議盲目的去實(shí)驗(yàn)）；
2、來(lái)料的芯片參數(shù)（亮度、電壓、波長(zhǎng)等）是否符合規(guī)格要求，外觀（電極位置）是否與規(guī)格書上相同；
