晶圓,晶圓的分類,晶圓參數(shù)指標(biāo)等
1 晶格：晶圓制程結(jié)束后，晶圓的表面會形成許多格狀物，成為晶格。經(jīng)過切割器切割后成所謂的晶片
2 分割線：晶圓表面的晶格與晶格之間預(yù)留給切割器所需的空白部分即為分割線
3 測試晶格:指晶圓表面具有電路元件及特殊裝置的晶格，在晶圓制造期間，這些測試晶格需要通過電流測試，才能被切割下來
4 邊緣晶格：晶圓制造完成后，其邊緣會產(chǎn)生部分尺寸不完整的晶格，此即為邊緣晶格，這些不完整的晶格切割后，將不被使用
5 晶圓的平坦邊：晶圓制造完成后，晶圓邊緣都會切割成主要和次要的平坦邊，目的是用來作為區(qū)分。
光學(xué)顯影：是在光阻經(jīng)過曝光和顯影的程序，把光罩上的圖形轉(zhuǎn)換到光阻下面的薄膜層或矽晶上。光學(xué)顯影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩對準(zhǔn)、曝光和顯影等程序。小尺寸之顯像解析度，更在IC制程的進(jìn)步上，扮演著最關(guān)鍵的角色。由於光學(xué)上的需要，此段制程之照明采用偏黃色的可見光。因此俗稱此區(qū)為黃光區(qū)。
干式蝕刻技術(shù)：在半導(dǎo)的體制程中，蝕刻被用來將某種材質(zhì)自晶圓表面上移除。乾式蝕刻（又稱為電漿蝕刻）是目前最常用的蝕刻方式，其以氣體作為主要的蝕刻媒介，并藉由電漿能量來驅(qū)動反應(yīng)。
電漿對蝕刻制程有物理性與化學(xué)性兩方面的影響。首先，電漿會將蝕刻氣體分子分解，產(chǎn)生能夠快速蝕去材料的高活性分子。此外，電漿也會把這些化學(xué)成份離子化，使其帶有電荷。
