PIN型光電二極管,PIN型光電二極管的分類,PIN型光電二極管參數(shù)指標(biāo)等
pin結(jié)二極管的基本結(jié)構(gòu)有兩種，即平面的結(jié)構(gòu)和臺面的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。對于Si-pin133結(jié)二極管，其中i型層的載流子濃度很低（約為10cm數(shù)量級）電阻率很高、（約為k-cm數(shù)量級），厚度W一般較厚（在10～200m之間）；i型層兩邊的p型和n型半導(dǎo)體的摻雜濃度通常很高（即為重?fù)诫s）。
平面結(jié)構(gòu)和臺面結(jié)構(gòu)的i型層都可以采用外延技術(shù)來制作，高摻雜的p+層可以采用熱擴(kuò)散或者離子注入技術(shù)來獲得。平面結(jié)構(gòu)二極管可以方便地采用常規(guī)的平面工藝來制作。而臺面結(jié)構(gòu)二極管還需要進(jìn)行臺面制作（通過腐蝕或者挖槽來實(shí)現(xiàn)）。臺面結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是：①去掉了平面結(jié)的彎曲部分，改善了表面擊穿電壓；②減小了邊緣電容和電感，有利于提高工作頻率。
pin 結(jié)就是在 pin 結(jié)的空間電荷區(qū)分別在 i 型層兩邊的界面處， 而整個的 i 型層中沒有空 間電荷，但是存在由兩邊的空間電荷所產(chǎn)生出來的電場——內(nèi)建電場，所以 pin 結(jié)的勢壘區(qū) 就是整個的 i 型層。
①基本概念：
眾所周知，一般 p-n 結(jié)的導(dǎo)電（較大的正向電流以及很小的反向電流）主要是由于少數(shù) 載流子在勢壘區(qū)以外的兩邊擴(kuò)散區(qū)中進(jìn)行擴(kuò)散所造成的；擴(kuò)散區(qū)是不存在電場的電中性區(qū)。 在此實(shí)際上也就暗示著載流子渡越勢壘區(qū)的速度很快， 即忽略了存在強(qiáng)電場的勢壘區(qū)的阻擋 作用；當(dāng)然，這種處理也只有在勢壘區(qū)較�。ㄐ∮谳d流子的平均自由程）時才是允許的。而 對于勢壘區(qū)厚度較大（≈載流子平均自由程）的 p-n 結(jié)，則就需要考慮載流子在渡越勢壘區(qū) 的過程中所造成的影響，這種影響主要就是將增加一定的產(chǎn)生-復(fù)合電流。
但是，對于 pin 結(jié)，雖然它的空間電荷區(qū)是在 i 型層兩頭的很薄的區(qū)域，然而其勢壘區(qū) （存在內(nèi)建電場的區(qū)域）卻是整個的 i 型層，則其勢壘區(qū)厚度必將遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于載流子的平均自 由程，因此這時載流子渡越勢壘區(qū)過程中的產(chǎn)生-復(fù)合作用就再也不能忽略了。實(shí)際上，pin 1 結(jié)的單向?qū)щ娦砸舱怯捎谳d流子渡越 i 型層的特殊過程（復(fù)合與產(chǎn)生的過程）所造成的； 相反，i 型層兩邊的擴(kuò)散區(qū)卻對于 pin 結(jié)導(dǎo)電性能的影響較小�？傊�，pin 結(jié)的導(dǎo)電性能與 i 型層中載流子的復(fù)合作用有很大的關(guān)系。
�、趐in 結(jié)中載流子的輸運(yùn)——導(dǎo)電機(jī)理：
