閃存芯片,閃存芯片的性能參數(shù)，閃存芯片的引腳說明，閃存芯片的工作狀態(tài)
●采用3. 3V電源;
●芯片內(nèi)部的存儲(chǔ)單元陣列為(256M +8. 192M) bit ×8bit , 數(shù)據(jù)寄存器和緩沖存儲(chǔ)器均為(2k + 64) bit ×8bit ;
●具有指令/ 地址/ 數(shù)據(jù)復(fù)用的I/ O 口;
●在電源轉(zhuǎn)換過程中, 其編程和擦除指令均可暫停;
●由于采用可靠的CMOS 移動(dòng)門技術(shù), 使得芯片最大可實(shí)現(xiàn)100kB 編程/ 擦除循環(huán),該技術(shù)可以保證數(shù)據(jù)保存10 年而不丟失。
I/ O0～I(xiàn)/ O7 :數(shù)據(jù)輸入輸出口, I/ O 口常用于指令和地址的輸入以及數(shù)據(jù)的輸入/ 輸出,其中數(shù)據(jù)在
讀的過程中輸入。當(dāng)芯片沒有被選中或不能輸出時(shí), I/ O 口處于高阻態(tài)。
CLE:指令鎖存端,用于激活指令到指令寄存器的路徑, 并在WE上升沿且CLE 為高電平時(shí)將指令鎖存。
ALE: 地址鎖存端, 用于激活地址到內(nèi)部地址寄存器的路徑,并在WE 上升沿且ALE 為高電平時(shí),地址鎖存。
CE: 片選端, 用于控制設(shè)備的選擇。當(dāng)設(shè)備忙時(shí), CE 為高電平而被忽略, 此時(shí)設(shè)備不能回到備用狀態(tài)。
RE: 讀使能端,用于控制數(shù)據(jù)的連續(xù)輸出,并將數(shù)據(jù)送到I/ O 總線。只有在RE的下降沿時(shí),輸出數(shù)據(jù)才有效, 同時(shí), 它還可以對(duì)內(nèi)部數(shù)據(jù)地址進(jìn)行累加。
WE: 寫使能控制端, 用于控制I/ O 口的指令寫入,同時(shí),通過該端口可以在WE脈沖的上升沿將指令、地址和數(shù)據(jù)進(jìn)行鎖存。
WP: 寫保護(hù)端, 通過WP 端可在電源變換中進(jìn)行寫保護(hù)。當(dāng)WP 為低電平時(shí),其內(nèi)部高電平發(fā)生器將復(fù)位。
R/ B : 就緒/ 忙輸出, R/ B 的輸出能夠顯示設(shè)備的操作狀態(tài)。R/ B 處于低電平時(shí),表示有編程、擦除或隨機(jī)讀操作正在進(jìn)行。操作完成后, R/ B 會(huì)自動(dòng)返回高電平。由于該端是漏極開路輸出, 所以即使當(dāng)芯片沒有被選中或輸出被禁止時(shí), 它也不會(huì)處于高阻態(tài)。
PRE:通電讀操作,用于控制通電時(shí)的自動(dòng)讀操作,PRE 端接到VCC可實(shí)現(xiàn)通電自動(dòng)讀操作。
●VCC :芯片電源端。
●VSS :芯片接地端。
●NC:懸空。
1 按頁讀操作
