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E類功率放大器,E類功放的CMOS集成,E類功放的自適應(yīng)效率提高技術(shù),E類功率放大器的典型電路
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E類功率放大器,E類功放的CMOS集成,E類功放的自適應(yīng)效率提高技術(shù),E類功率放大器的典型電路  2011/10/3

目錄

  • E類功放的CMOS集成
  • E類功放的自適應(yīng)效率提高技術(shù)
  • E類功率放大器的典型電路
E類功率放大器

E類功放的CMOS集成

  •   為了做到使用相同的工藝和流程將射頻和數(shù)字基帶處理集成在一起,對(duì)E類功放進(jìn)行CMOS集成電路設(shè)計(jì)的研究也較多。但CMOS電路的開(kāi)關(guān)性能較差,擊穿電壓也較低,并且隨著CMOS供電電壓的逐步降低,高性能E類功放的CMOS集成電路設(shè)計(jì)變得比較困難,其中的一些研究成果如表所示。CMOS集成的E類功放存在的問(wèn)題還包括:CMOS電路制造的元器件值偏差較大,較大的輸出電容限制了E類功放的工作頻率等。雖然BiCMOS工藝能夠極大的提高晶體管的開(kāi)關(guān)性能,使得E類功放的性能提升,但與數(shù)字基帶不兼容的工藝流程使其普及仍然較困難。

E類功放的自適應(yīng)效率提高技術(shù)

  •   理想E類功放的效率是100%,但因?yàn)楦鞣N設(shè)計(jì)條件的偏差,例如元器件值、非理想開(kāi)關(guān)等因素,會(huì)造成實(shí)際效率降低。顯然,如果能夠?qū)崟r(shí)的糾正這些偏差將能夠提高E類功放的效率,F(xiàn)在的文獻(xiàn)主要對(duì)E類功放的零電壓開(kāi)關(guān)(ZeroVoltageSwitching,ZVS)條件是否滿足的檢測(cè)方法進(jìn)行了研究。當(dāng)E類功放的開(kāi)關(guān)狀態(tài)檢測(cè)到以后,即可以通過(guò)電調(diào)器件對(duì)電路參數(shù)進(jìn)行實(shí)時(shí)調(diào)整,使E類功放的開(kāi)關(guān)狀態(tài)返回到最佳狀態(tài),以提高效率。當(dāng)然,自適應(yīng)效率提高技術(shù)所添加的額外電路也會(huì)帶來(lái)的系統(tǒng)效率下降。

E類功率放大器的典型電路

  •   E類功率放大器的典型電路是由單個(gè)晶體管和負(fù)載兩蹯所組成,在輸入信號(hào)的激勵(lì)下,晶休管呈開(kāi)關(guān)狀態(tài)。它的最大優(yōu)點(diǎn)是管子需待管壓降降至最低(即等于VcBs)時(shí), 電流才能導(dǎo)通一截止時(shí)需滿足集電極電流降至零時(shí),集電極電壓才開(kāi)始上升, 以防高電壓,大電流同時(shí)存在。其電路原理如圖4所示。

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