場效應管按結(jié)構(gòu)可分為結(jié)型場效應管(縮寫為JFET)和絕緣柵場效應管(縮寫為JGFET),從導電方式看,場效應管分為N型溝道型與P型溝道型。絕緣柵型場效應管有增強型和耗盡型兩種,而JFET只有耗盡型。
一、基本結(jié)構(gòu)
場效應管是利用改變電場來控制半導體材料的導電特性,不是像三極管那樣用電流控制PN結(jié)的電流。因此,場效應管可以工作在極高的頻率和較大的功率。此外,場效應管的制作工藝簡單,是集成電路的基本單元。
場效應管有結(jié)型和絕緣柵型兩種主要類型。每種類型的場效應管都有柵極g、源極s和漏極d三個工作電極,同時,每種類型的場效應管都有N溝道和P溝道兩種導電結(jié)構(gòu)。
絕緣柵型場效應管又叫做MOS管。根據(jù)在外加電壓Vgs=0時是否存在導電溝道,絕緣柵場效應管又可分為上增強型和耗盡型。增強型MOS管在外加電壓Vgs=0時不存在導電溝道,而耗盡型MOS的氧化絕緣層中加入了大量的正離子,即使在Vgs=0時也存在導電溝道。
N溝道絕緣柵型
g為柵極,s為源極,d為漏極,B襯底
結(jié)型場效應管的結(jié)構(gòu)與絕緣柵場效應管的結(jié)構(gòu)基本相同,主要的區(qū)別在于柵極g與通道半導體之間沒有絕緣。
N溝道和P溝道結(jié)型
從場效應管的基本結(jié)構(gòu)可以看出,無論是絕緣柵型還是結(jié)型,場效應管都是兩個背靠背的PN結(jié)。電流通路不是由PN結(jié)形成的,而是依靠漏極d和源極s之間半導體的導電狀態(tài)來決定的。
二、電路符號