負載開關(guān),負載開關(guān)特點，基本電路，應(yīng)用流域，發(fā)展
導(dǎo)通電阻 0.75Ω@VIN=2.9V(TYP.)
1.15Ω@VIN=1.8V (TYP.)
輸出電流 200mA(300mA限流TYP.)
輸入電壓范圍 1.8V～6.0V(絕對最大額定值:6.5V)
低消耗電流 3.0μA@ VIN=1.8V
待機電流 0.1μA
保護電路 定電流限流300mA(TYP.)
短路保護 短路電流30mA(TYP.)
ON/OFF功能 高電平ON
采用USP-4封裝,并且不需要電容等外部元件,有助于實現(xiàn)電源電路的小型化,大大節(jié)省了空間。
CE端輸入低電壓時,芯片處于節(jié)電模式,如果此時輸出端接有電容,在節(jié)電模式下,內(nèi)部開關(guān)導(dǎo)通,能實現(xiàn)電容高速放電,使VOUT端電壓快速回歸到VSS程度。
內(nèi)置Foldback型過電流保護電路,能在輸出端出現(xiàn)過電流和短路時提供保護。
功率MOSFET是一種具有良好開關(guān)特性的器件：導(dǎo)通時其導(dǎo)通電阻RDS(ON)很小；在關(guān)斷時其漏電流IDSS很小。另外，它的耐壓范圍很寬，從幾十V到幾百V，漏極電源范圍寬，從幾A到幾十A，所以非常適合作負載開關(guān)。
N溝道MOSFET可以組成最簡單的負載開關(guān)，如圖1所示。負載接在電源與漏極之間（負載可以是直流電動機、散熱風(fēng)扇、大功率LED、白熾燈泡或螺管線圈等）。在其柵極上加一個邏輯高電平，則N-MOSFET導(dǎo)通，負載得電；在其柵極加一個邏輯低電平，則N-MOSFET關(guān)斷，負載失電。
