方塊電阻,方塊電阻的分類,方塊電阻參數(shù)指標等
假設(shè)電流流經(jīng)一個二維方塊，定義等長寬的一個橫面微元，電流流經(jīng)方向上的偏壓與電流大�。ㄝd流子N和所帶電荷大小Q的函數(shù)）比值就是方塊電阻，方塊電阻對厚度積分可以得到電阻率，方塊電阻只與材質(zhì)有關(guān)。廣義上將其抽象為一個靜電場的半球，對電場半徑求得微元電阻的大小也叫方塊電阻。
方塊電阻有一個特性，即任意大小的正方形邊到邊的電阻都是一樣的，不管邊長是1m還是0.1m，它們的方阻都是一樣，這樣方阻僅與導(dǎo)電膜的厚度和電阻率有關(guān)。方塊電阻計算公式：R=ρL/S ，ρ為物質(zhì)的電阻率，單位為歐姆米(Ω. m)，L為長度，單位為米(m)，S為截面積，單位為平方米（m2），長寬相等時，R=ρ/h ，h為薄膜厚度。材料的方阻越大，器件的本征電阻越大，從而損耗越大。
用于離子注入或?qū)щ姳∧さ墓に嚤O(jiān)控，主要關(guān)心方塊電阻絕對值與均勻性，離子注入方塊電阻反映劑量，導(dǎo)電薄膜方塊電阻反映厚度，方塊電阻是電路設(shè)計人員和工藝操作人員的一個接口。電路設(shè)計人員可以根據(jù)工藝庫把實際的電阻值轉(zhuǎn)換成方塊電阻，而工藝操作人員可以根據(jù)方塊電阻確定實際的電阻值。對于薄膜:厚度越大,電阻越小.厚度越小,電阻越大。
1、探頭法測試原理圖
下圖是電流平行經(jīng)過ITO 膜層的情形，其中：d 為膜厚，I 為電流，L1 為在電流方向的膜層長度，L2 為在垂直于電流方上的膜層長度。
當電流流過如圖所示的方形導(dǎo)電膜層時，該層的電阻為
式中，ρ 為導(dǎo)電膜的電阻率，對于給定的膜層，ρ 和d 可以看成是定值。L1=L2時，即為正方形的膜層，其電阻值均為定值ρ/d。這就是方塊電阻的定義，即
