相變存儲器,發(fā)展，工作原理，屬性，縮放比例
二十世紀五十年代至六十年代，Dr. STanford Ovshinsky開始研究無定形物質(zhì)的性質(zhì)。無定形物質(zhì)是一類沒有表現(xiàn)出確定、有序的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的物質(zhì)。1968年，他發(fā)現(xiàn)某些玻璃在變相時存在可逆的電阻系數(shù)變化。1969年，他又發(fā)現(xiàn)激光在光學存儲介質(zhì)中的反射率會發(fā)生響應的變化。1970年，他與他的妻子Dr. Iris Ovshinsky共同建立的能量轉(zhuǎn)換裝置（ECD）公司，發(fā)布了他們與Intel的GordON Moore合作的結(jié)果。1970年9月28日在Electronics發(fā)布的這一篇文章描述了世界上第一個256位半導體相變存儲器。
近30年后，能量轉(zhuǎn)換裝置（ECD）公司與Micron Technology前副主席Tyler Lowery建立了新的子公司Ovonyx。在2000年2月，Intel與Ovonyx發(fā)表了合作與許可協(xié)議，此份協(xié)議是現(xiàn)代PCM研究與發(fā)展的開端。2000年12月，STMicroelectronics（ST）也與Ovonyx開始合作。至2003年，以上三家公司將力量集中，避免重復進行基礎(chǔ)的、競爭的研究與發(fā)展，避免重復進行延伸領(lǐng)域的研究，以加快此項技術(shù)的進展。2005年，ST與Intel發(fā)表了它們建立新的閃存公司的意圖，新公司名為Numonyx。
在1970年第一份產(chǎn)品問世以后的幾年中，半導體制作工藝有了很大的進展，這促進了半導體相變存儲器的發(fā)展。同時期，相變材料也愈加完善以滿足在可重復寫入的CD與DVD中的大量使用。Intel開發(fā)的相變存儲器使用了硫?qū)倩铮–halcogenides），這類材料包含元素周期表中的氧/硫族元素。Numonyx的相變存儲器使用一種含鍺、銻、碲的合成材料（Ge2Sb2Te5），多被稱為GST�，F(xiàn)今大多數(shù)公司在研究和發(fā)展相變存儲器時都都使用GST或近似的相關(guān)合成材料。今天，大部分DVD-RAM都是使用與Numonyx相變存儲器使用的相同的材料。
一位可變
