憶阻器,憶阻器的分類,憶阻器參數(shù)指標(biāo)等
現(xiàn)在市面上仍然不能買到憶阻器。但是，考慮到憶阻器歷經(jīng)多年，直至今年才被認(rèn)可——以前理論中的第四種基本電路，被HP實(shí)驗(yàn)室研究員最終證明了其在現(xiàn)實(shí)中存在之后，此技術(shù)可謂是一夜成名。
圖中為一個由17個憶阻器列成一排而組成的簡單電路，其中每個憶阻器有一個底部導(dǎo)線，其與器件的一端相連；還有一個頂部導(dǎo)線，其與器件的另一端相連。
在憶阻器中，磁通量（ΦB）受到累積的電荷（q）所影響。磁通量按電荷的改變率稱之為“憶阻值”：
故此憶阻值可以與其余三種基本的電子元件作出比較：
電阻：
電感：
電容：
當(dāng)中q是電荷；I是電流；V是電壓；而ΦB則是磁通量。
根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律及復(fù)合函數(shù)求導(dǎo)法則，可見憶阻器的電壓V是與電流I及憶阻值的積有關(guān)：
由此可見，憶阻器可以成為一個電阻器。但是“電阻”的M(q)會隨累積的電荷而改變。憶阻值可以說是隨流經(jīng)憶阻器的電流歷史所改變，彷如在電容器的電壓一般。
