記憶電阻器,記憶電阻器的分類,記憶電阻器參數指標等
基礎電子學教科書列出三個基本的被動電路元件：電阻器、電容器和電感器；電路的四大基本變量則是電流、電壓、電荷和磁通量。37年前蔡少堂（Leon Chua）就預測有第四個元件的存在，即記憶電阻器（memristor），實際上就是一個有記憶功能的非線性電阻器。
美國惠普公司實驗室研究人員在5月1日出版的英國《自然》雜志上發(fā)表論文宣稱，他們已經證實了電路世界中的第四種基本元件———記憶電阻器，簡稱憶阻器（Memristor）的存在，并成功設計出一個能工作的憶阻器實物模型。這項發(fā)現將有可能用來制造非易失性存儲設備、即開型PC、更高能效的計算機和類似人類大腦方式處理與聯系信息的模擬式計算機等鋪平了道路，未來甚至可能會通過大大提高晶體管所能達到的功能密度，對電子科學的發(fā)展歷程產生重大影響。
記憶電阻器作為邏輯電路
單純作為NAND型閃存芯片的替代者，在存儲業(yè)界打混并不是記憶電阻器唯一的應用。最近小編我得到一些消息，憶阻元件并非僅僅用在存儲領域，同樣也可以用于半導體邏輯芯片中。其中惠普公司已經宣布，他們所研制的芯片可以執(zhí)行邏輯功能。換句話說，記憶電阻器既可以作為一個存儲單元件，同時也可以作為邏輯執(zhí)行元件。它是一道鎖，也可以是一道門。
記憶電阻器最初的用途可能是用來代替閃存為存儲業(yè)界提供更高規(guī)格的存儲解決方案。而隨著時間的推移，他們可以作為一個大型數據中心在DRAM與HDD之間的緩沖層。此后記憶電阻器產品將直接接管閃存和硬盤成為終極存儲產品。但是在這種情況下，記憶電阻器內的數據仍然需要處理器這樣的邏輯執(zhí)行芯片進行處理。
