LED晶圓,LED晶圓的分類,LED晶圓參數(shù)指標(biāo)等
1、LED晶圓處理工序：本工序的主要工作是在晶圓上制作電路及電子元件（如晶體管、電容、邏輯開關(guān)等）， 其處理程序通常與產(chǎn)品種類和所使用的技術(shù)有關(guān)，但一般基本步驟是先將晶圓適當(dāng)清洗，再在其表面進行 氧化及化學(xué)氣相沉積，然后進行涂膜、曝光、顯影、蝕刻、離子植入、金屬濺鍍等反復(fù)步驟，最終在晶圓 上完成數(shù)層電路及元件加工與制作。
2、晶圓針測工序：經(jīng)過上道工序后，晶圓上就形成了一個個的小格，即晶粒，一般情況下，為便于測試， 提高效率，同一片晶圓上制作同一品種、規(guī)格的產(chǎn)品；但也可根據(jù)需要制作幾種不同品種、規(guī)格的產(chǎn)品。 在用針測（Probe）儀對每個晶粒檢測其電氣特性，并將不合格的晶粒標(biāo)上記號后，將晶圓切開，分割成 一顆顆單獨的晶粒，再按其電氣特性分類，裝入不同的托盤中，不合格的晶粒則舍棄。
3、構(gòu)裝工序：就是將單個的晶粒固定在塑膠或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蝕刻出的一些引接線端與 基座底部伸出的插腳連接，以作為與外界電路板連接之用，最后蓋上塑膠蓋板，用膠水封死。其目的是用 以保護晶粒避免受到機械刮傷或高溫破壞。到此才算制成了一塊集成電路芯片（即我們在電腦里可以看到 的那些黑色或褐色，兩邊或四邊帶有許多插腳或引線的矩形小塊）。
襯底>>結(jié)構(gòu)設(shè)計>>緩沖層生長>>N型GaN層生長>>多量子阱發(fā)光層生長>>P型GaN層生長>>退火>>檢測（光熒光、X射線）>>晶圓片
晶圓>>設(shè)計、加工掩模版>>光刻>>離子刻蝕>>N型電極（鍍膜、退火、刻蝕）>>P型電極（鍍膜、退火、刻蝕）>>劃片>>晶粒分檢、分級（小湯）
多量子阱型是在芯片發(fā)光層的生長過程中，摻雜不同的雜質(zhì)以制造結(jié)構(gòu)不同的量子阱，通過不同量子阱發(fā)出的多種光子復(fù)合直接發(fā)出白光。該方法提高發(fā)光效率，可降低成本，降低包裝及電路的控制難度；但技術(shù)難度相對較大。
1,結(jié)構(gòu)特性好,晶圓材料與襯底的晶體結(jié)構(gòu)相同或相近,晶格常數(shù)失配度小,結(jié)晶性能好, 缺陷密度小.
2,介面特性好,有利於晶圓料成核且黏附性強.
3,化學(xué)穩(wěn)定性好,在晶圓生長的溫度和氣氛中不容易分解和腐蝕.
4,熱學(xué)性能好,包括導(dǎo)熱性好和熱失配度小.
