3D封裝,3D封裝的分類,3D封裝參數(shù)指標(biāo)等
一：封裝趨勢(shì)是疊層封(PoP)；低產(chǎn)率芯片似乎傾向于PoP。
二：多芯片封裝(MCP)方法，而高密度和高性能的芯片則傾向于MCP。
三：以系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù)為主，其中邏輯器件和存儲(chǔ)器件都以各自的工藝制造，然后在一個(gè)SiP封裝內(nèi)結(jié)合在一起。
目前的大多數(shù)閃存都采用多芯片封裝（MCP，Multichip Package），這種封裝，通常把ROM和RAM封裝在一塊兒。多芯封裝（MCP）技術(shù)是在高密度多層互連基板上，采用微焊接、封裝工藝將構(gòu)成電子電路的各種微型元器件(裸芯片及片式元器件)組裝起來(lái)，形成高密度、高性能、高可靠性的微電子產(chǎn)品(包括組件、部件、子系統(tǒng)、系統(tǒng))。技術(shù)上，MCP追求高速度、高性能、高可靠和多功能，而不像一般混合IC技術(shù)以縮小體積重量為主。但隨著Flash閃存以及DRAM閃存追求體積的最小化，該封裝技術(shù)由于使用了金屬絲焊接，在帶寬和所占空間比例上都存在劣勢(shì)，而WSP封裝技術(shù)將會(huì)是一個(gè)更好解決方案。
離子注入 Ion Implantation晶圓襯底是純硅材料的，不導(dǎo)電或?qū)щ娦詷O弱。為了在芯片內(nèi)具有導(dǎo)電性，必須在晶圓里摻入微量的不純物質(zhì)，通常是砷、硼、磷。摻雜可以在擴(kuò)散爐中進(jìn)行，也可以采用離子注入實(shí)現(xiàn)。
一些先進(jìn)的應(yīng)用都是采用離子注入摻雜的。離子注入有中電流離子注入、大電流/低能量離子注入、高能量離子注入三種，適于不同的應(yīng)用需求。
熱處理 Thermal Processing利用熱能將物體內(nèi)產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力的一些缺陷加以消除。所施加的能量將增加晶格原子及缺陷在物體內(nèi)的振動(dòng)及擴(kuò)散，使得原子的排列得以重整。熱處理是沉積制造工序后的一個(gè)工序，用來(lái)改變沉積薄膜的機(jī)械性能。目前熱處理技術(shù)主要有兩項(xiàng)應(yīng)用：一個(gè)使用超低k絕緣體來(lái)提升多孔薄膜的硬度，另一個(gè)使用高強(qiáng)度氮化物來(lái)增加沉積薄膜的韌性抗張力，以提升器件性能。在紫外熱處理反應(yīng)器里，等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積薄膜經(jīng)過(guò)光和熱的聯(lián)合作用改變了膜的性能。高強(qiáng)度氮化薄膜中紫外熱處理工藝使連接重排，空間接觸更好，產(chǎn)生出了提高器件性能所需的高強(qiáng)度水平。
化學(xué)機(jī)械研磨 CMP推動(dòng)芯片技術(shù)向前發(fā)展的關(guān)鍵之一是每個(gè)芯片的層數(shù)在增加，一個(gè)芯片上堆疊的層數(shù)越來(lái)越多，而各層的平坦不均會(huì)增加光刻精細(xì)電路圖像的困難。CMP系統(tǒng)是使用拋光墊和化學(xué)研磨劑選擇性拋光沉積層使其平坦化。CMP包括多晶硅金屬介質(zhì)（PMD） 平坦化、層間絕緣膜（ILD）平坦化和鎢平坦化。CMP是銅鑲嵌互連工藝中的關(guān)鍵技術(shù)。
