靜電感應(yīng)晶體管,靜電感應(yīng)晶體管的分類,靜電感應(yīng)晶體管參數(shù)指標(biāo)等
靜電感應(yīng)晶體管是一種電壓控制器件。在零柵壓或很小的負(fù)柵壓時，溝道區(qū)已全部耗盡，呈夾斷狀態(tài)，靠近源極一側(cè)的溝道中出現(xiàn)呈馬鞍形分布的勢壘，由源極流向漏極的電流完全受此勢壘的控制。在漏極上加一定的電壓后，勢壘下降，源漏電流I開始流動。漏壓越高,I越大,亦即靜電感應(yīng)晶體管的源漏極之間是靠漏電壓的靜電感應(yīng)保持其電連接的,因此稱為靜電感應(yīng)晶體管。
1952年日本的渡邊、西澤等人提出模擬晶體管的模型，1971年9月日本西澤潤一發(fā)表靜電感應(yīng)晶體管的研究結(jié)果。在70年代中期，它作為音頻功率放大器件在日本國內(nèi)得到了迅速的發(fā)展，先后制出最高截止頻率10兆赫、輸出功率1千瓦和30兆赫、輸出功率達(dá)2千瓦的靜電感應(yīng)晶體管。1974年之后，高頻和微波功率靜電感應(yīng)晶體管有較大發(fā)展。已出現(xiàn)1吉赫下輸出功率100瓦的內(nèi)匹配合成器件和2吉赫下輸出 10瓦左右的器件。靜電感應(yīng)型硅可控整流器已做到導(dǎo)通電流30安(壓降為0.9伏)，開關(guān)時間為110納秒。另外，已研制出 MOS型SIT和SIT低功耗、高速集成電路，其邏輯門的功率-延遲積的理論值可達(dá)1×10-15焦以下。
