pin光電二極管,pin光電二極管的結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)考慮，主要參數(shù)，應(yīng)用
因?yàn)镻D的主要有源區(qū)是勢壘區(qū)，所以展寬勢壘區(qū)即可提高靈敏度。p-i-n結(jié)光電二極管實(shí)際上也就是人為地把p-n結(jié)的勢壘區(qū)寬度加以擴(kuò)展，即采用較寬的本征半導(dǎo)體（i）層來取代勢壘區(qū)，而成為了p-i-n結(jié)（見圖示）。
p-i-n結(jié)光電二極管的有效作用區(qū)主要就是存在有電場的i型層（勢壘區(qū)），則產(chǎn)生光生載流子的有效區(qū)域增大了，擴(kuò)散的影響減弱了，并且結(jié)電容也大大減小了，所以其光檢測的靈敏度和響應(yīng)速度都得到了很大的提高。
p-i-n結(jié)光電二極管中i型層的厚度d是一個(gè)重要的結(jié)構(gòu)參量，從提高響應(yīng)速度和靈敏度來看，要求d應(yīng)該大一些；但是若d過大，則光生載流子在i層中漂移（速度為vd）的時(shí)間（d / vd）將增長，這反而不利，因此可根據(jù)d / vd = 調(diào)制信號周期T的一半來選取，即有d = vd T / 2。 微電子百科-中國微電子網(wǎng)
另外，為了減小表面半導(dǎo)體層對光的吸收作用，應(yīng)該采用禁帶寬度較大的窗口材料（例如在GaInAs體系中采用InP作為光照區(qū)）
1. 開關(guān)時(shí)間： 由于電荷的存儲效應(yīng)，PIN管的通斷和斷通都需要一個(gè)過程，這個(gè)過程所需時(shí)間
2. 隔離度：開關(guān)在斷開時(shí)其衰減也非無窮大，稱為隔離度
3. 插入損耗：開關(guān)在導(dǎo)通時(shí)衰減不為零，稱為插入損耗
4. 承受功率： 在給定的工作條件下，微波開關(guān)能夠承受的最大輸入功率
5. 電壓駐波系數(shù)： 僅反映端口輸入，輸出匹配情況
6. 視頻泄漏
7. 諧波： PIN二極管也具有非線性，因而會產(chǎn)生諧波，PIN開關(guān)在寬帶應(yīng)用場合，諧波可能落在使用頻帶內(nèi)引起干擾.
8. 開關(guān)分類：反射式和吸收式， 吸收式開關(guān)的性能較反射式開關(guān)優(yōu)良
9. 控制方式：采用TTL信號控制。'1'通'0'斷
