硅光電倍增管,硅光電倍增管的分類,硅光電倍增管參數(shù)指標(biāo)等
1、受外界環(huán)境干擾能力強(qiáng)，尤其可在強(qiáng)磁場環(huán)境下正常工作；
2、即使直接曝光在強(qiáng)光下，也不會損壞探測器；
3、無需高壓電源，低于100V的工作電壓；
4、產(chǎn)品更為緊湊小巧，簡化您的產(chǎn)品尺寸及系統(tǒng)設(shè)計。
如圖1中所示，SPM探測器實際上是一個面陣的雪崩二極管陣列，每一個微元均由一個雪崩二極管和一個淬滅電阻（Quenching Resistor，RQ）組成，加上反向偏壓后，雪崩管工作在接近擊穿的狀態(tài)下，當(dāng)有光子打在探測面上，雪崩管內(nèi)部產(chǎn)生大量電子，輸出一個電脈沖，這時為防止雪崩管被擊穿，RQ導(dǎo)通，開始放電，雪崩管回到初始狀態(tài)，等待下一個光子打過來。這個過程請參考圖2。各個微元被并聯(lián)在一起，他們產(chǎn)生的電脈沖被累加起來，形成電流輸出。輸出電流的大小，能夠反映入射光的強(qiáng)度。
圖1 SPM的基本原理及結(jié)構(gòu)圖
圖2. SPM工作過程
