NVRAM主要有兩種,分別是多層式存儲(MLC, Multi Level Cell)及單層式存儲(SLC, Single Level Cell)。兩者讀取速度差異不大,使用MLC顆粒的固態(tài)硬盤成本較使用SLC的低,但是寫入速度較低、使用壽命也較短。
閃存是最常見的非易失性存儲器。小容量的閃存可被制作成帶有USB接口的移動存儲設備,亦即人們常說的“閃存盤”、“優(yōu)盤”。隨著生產成本的下降,將多個大容量閃存模塊集成在一起,制成以閃存為存儲介質的固態(tài)硬盤已成為可能。
NVRAM具備DRAM與SRAM的物理優(yōu)點,傳輸速度快,單片容量大,也具備了硬盤的永久(相對而言)存儲的特性。
NVRAM可廣泛應用于:
●汽車系統(tǒng)
●通訊系統(tǒng)
●計算機系統(tǒng)
●消費系統(tǒng)
●工業(yè)系統(tǒng)
隨著移動設備、便攜式設備和無線設備的迅猛發(fā)展,NVRAM也遇到了前所未有的好時機,并迅速走俏市場。日前,在多種NVRAM中,以閃存(Flash Memory)技術最為引人注目,并占據(jù)著NVRAM市場的霸主地位。盡管現(xiàn)在不同于閃存技術的其他NVRAM技術已經(jīng)出現(xiàn),并逐漸被一些廠商重視并看好,但在近幾年內,閃存仍將以其強大的優(yōu)勢稱霸NVRAM應用市場。
移動市場和無線市場的強大需求為NVRAM帶來了市場機會,同時也對NVRAM提出了更高的要求,更快的速度、更大的容量、更高的整合度以及更低的能耗始終是NVRAM的奮斗目標,未來NVRAM跟我們的關系將更加密切。