低成本
CIGS電池采用了廉價的Na-Lime玻璃做襯底,采用濺射技術(shù)為制備的主要技術(shù),這樣Cu,In,Ga,Al,Zn的耗損量很少,對大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)而言,如能保持比較高的電池的效率,電池的價格以每瓦計算會比相應(yīng)的單晶硅和多晶硅電池的價格低得多。
高效率
禁帶寬度(1.1eV)適于太陽光的光電轉(zhuǎn)換;容易形成固溶體以控制禁帶寬度的特點,目前實驗室樣片效率達(dá)到18.8%。
可大規(guī)模生產(chǎn)
近二十年的研究表明,CIGS電池的界面是化學(xué)穩(wěn)定的;亞穩(wěn)態(tài)缺陷對載流子有正面的影響;而Cu漂移是可逆的,它的漂移緩解了在材料中的化學(xué)勢產(chǎn)生的缺陷梯度,這種適應(yīng)性使其有很好的抗輻照和抗污染能力,從而具備大規(guī)模生產(chǎn)的優(yōu)勢。
材料吸收率高,吸收系數(shù)高達(dá)105量級,直接帶隙,適合薄膜化,電池厚度可做到2~3微米,降低昂貴的材料成本;
光學(xué)帶隙可調(diào),調(diào)制Ga/In比,可使帶隙在1.0~1.7eV間變化,可使吸收層帶隙與太陽光譜獲得最佳匹配;
抗輻射能力強,通過電子與質(zhì)子輻照、溫度交變、振動、加速度沖擊等試驗,光電轉(zhuǎn)換效率幾乎不變.在空間電源方面有很強的競爭力;
穩(wěn)定性好,不存在很多電池都有的光致衰退效應(yīng);
電池效率高,小面積可達(dá)19.9%,大面積組件可達(dá)14.2%;
弱光特性好,對光照不理想的地區(qū)猶顯其優(yōu)異性能。