恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)推出全新60 V和100 V晶體管，擴(kuò)充Trench 6 MOSFET產(chǎn)品線。新產(chǎn)品采用Power SO-8LFPAK封裝，支持60 V和100 V兩種工作電壓。Trench 6芯片技術(shù)和高性能LFPAK封裝工藝的整合賦予新產(chǎn)品出色的性能和可靠性，為客戶提供眾多實(shí)用價(jià)值�！ FPAK是一種“真正”意義上的功率封裝，通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)最佳熱/電性能、成本優(yōu)勢(shì)和可靠性。LFPAK是汽車行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101唯一認(rèn)可的Power-SO8封裝形式，在極端
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)推出全新60 V和100 V晶體管，擴(kuò)充Trench 6 MOSFET產(chǎn)品線。新產(chǎn)品采用Power SO-8LFPAK封裝，支持60 V和100 V兩種工作電壓。Trench 6芯片技術(shù)和高性能LFPAK封裝工藝的整合賦予新產(chǎn)品出色的性能和可靠性，為客戶提供眾多實(shí)用價(jià)值。
LFPAK是一種“真正”意義上的功率封裝，通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)最佳熱/電性能、成本優(yōu)勢(shì)和可靠性。LFPAK是汽車行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101唯一認(rèn)可的Power-SO8封裝形式，在極端惡劣的工作條件下仍具有出色的耐受性和可靠性。
產(chǎn)品主要特點(diǎn)：
- 3.6 mΩ（典型值），60 V，Power-SO8封裝(PSMN5R5-60YS)
- 10.0 mΩ（典型值），100 V，Power-SO8封裝(PSMN012-100YS)
- 全球首款電阻小于1 mΩ，25V，Power SO8封裝MOSFET開(kāi)關(guān)型應(yīng)用器件
- Power-SO8器件最高工作溫度：175 °C
- 符合汽車電子器件AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn)的Power-SO8封裝
- LFPAK封裝最大額定電流：ID(MAX)＝100A
- 支持目視檢測(cè)設(shè)備檢測(cè)（很多其他Power-SO8產(chǎn)品需要X光檢測(cè)）
- 突波耐受
- 符合RoHS規(guī)定，無(wú)鹵封裝
除新型Power SO-8封裝產(chǎn)品，恩智浦還推出了符合TO220 (SOT78)業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的60V和100V器件，在原有30V、40V和80V產(chǎn)品基礎(chǔ)進(jìn)一步擴(kuò)大了Trench 6 MOSFET產(chǎn)品線。新產(chǎn)品系列在各種應(yīng)用場(chǎng)景下都表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。Trench 6硅技術(shù)結(jié)合TO220封裝在提高工作效率，降低開(kāi)關(guān)損耗，改善電流容量，增加功率密度等方面起到顯著的提升作用，這些對(duì)于目前的高性能電源管理應(yīng)用具有重要意義。
產(chǎn)品主要特點(diǎn)：
- 2.4 mΩ（典型值），60 V，TO220封裝 (PSMN3R0-60PS)
- 4.3 mΩ（典型值），100 V，TO220封裝(PSMN5R6-100PS)
- 最高額定工作溫度：175 °C
- 最大額定電流：ID(MAX)= 100 A
- 突波耐受
- 符合RoHS規(guī)定，無(wú)鹵封裝
低熱阻
