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日本半導(dǎo)體分立元器件型號命名方法
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日本半導(dǎo)體分立元器件型號命名方法  2012/3/1
日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件,由五至七部分組成。通常只用到前五個部分,其各部分的符號意義如下:第一部分:用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電(即光敏)二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結(jié)的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類推。第二部分:日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊標(biāo)志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊登記的半導(dǎo)體分
日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法
    日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件,由五至七部分組成。通常只用到前五個部分,其各部分的符號意義如下:
第一部分:用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電(即光敏)二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結(jié)的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類推。
第二部分:日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊標(biāo)志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊登記的半導(dǎo)體分立器件。
第三部分:用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結(jié)晶體管、J-P溝道場效應(yīng)管、K-N 溝道場效應(yīng)管、M-雙向可控硅。
第四部分:用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號。兩位的整數(shù)-從“11”開始,表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號;不同公司的性能的器件可以使用同一順序號;數(shù)字越大,越是近期產(chǎn)品。
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