第一，我們可以把從陰極向上數(shù)的第一、二、三層看面是一只NPN?型號(hào)晶體管，而二、三四層組成另一只PNP?型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。這樣就可畫出圖表-27（C）的等效電路圖來(lái)分析。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea?，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1?的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào)，BG1?將產(chǎn)生基極電流Ib1?，經(jīng)放大，BG1?將有一個(gè)放大了β1?倍的集電極電流IC1?。因?yàn)锽G1?集電極與BG2?基極相連，IC1?又是B
第一，我們可以把從陰極向上數(shù)的第一、二、三層看面是一只NPN?型號(hào)晶體管，而二、三四層組成另一只
PNP?型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。這樣就可畫出圖表-27（C）的等效電路圖來(lái)分析。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea?，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1?的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào)，BG1?將產(chǎn)生基極
電流Ib1?，經(jīng)放大，BG1?將有一個(gè)放大了β1?倍的集電極電流IC1?。因?yàn)锽G1?集電極與BG2?基極相連，IC1?又是BG2?的基極電流Ib2?。BG2?又把比Ib2?（Ib1?）放大了β2?的集電極電流IC2?送回BG1?的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1?、BG2?完全導(dǎo)通。實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對(duì)可控硅來(lái)說，觸發(fā)信號(hào)加入控制極，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能。
(可控硅工作原理)可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1?基極的電流已不只是初始的Ib1?，而是經(jīng)過BG1?、BG2?放大后的電流（β1?*β2?*Ib1?）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1?，足以保持BG1?的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開
電源Ea?或降低Ea?，使BG1?、BG2?中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時(shí)，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然，如果Ea?極性反接，BG1?、BG2?由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號(hào)，可控硅也不能工作。反過來(lái)，Ea?接成正向，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通。另外，如果不加觸發(fā)信號(hào)，而正向陽(yáng)極電壓大到超過一定值時(shí)，可控硅也會(huì)導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了。
(可控硅的工作原理)可控硅這種通過觸發(fā)信號(hào)（小的觸發(fā)電流）來(lái)控制導(dǎo)通（可控硅中通過大電流）的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅
整流二極管的重要特征。
