45nm的1Gb單片閃存基于NumonyxStrataFlash存儲器架構，引腳兼容恒憶目前量產的65nmNOR閃存芯片。產品架構的兼容性和連續(xù)性使手機原始設備制造商能夠降低開發(fā)成本，延長現有產品平臺的生命周期，利用大容量存儲和速度更快的存儲器“立即執(zhí)行”功能，加快向市場推出新產品的速度。與上一代產品相比，新技術將數據寫入速度提高50%。在如何設計新一代NOR閃存技術方面，恒憶取得了一項重大設計突破。新產品采用一個新的自對準接觸(SAC)
45nm的1Gb單片閃存基于Numonyx StrataFlash存儲器架構，引腳兼容恒憶目前量產的65nm NOR閃存芯片。產品架構的兼容性和連續(xù)性使
手機原始設備制造商能夠降低開發(fā)成本，延長現有產品平臺的生命周期，利用大容量存儲和速度更快的存儲器“立即執(zhí)行”功能，加快向市場推出新產品的速度。與上一代產品相比，新技術將數據寫入速度提高50%。
在如何設計新一代NOR閃存技術方面，恒憶取得了一項重大設計突破。新產品采用一個新的自對準接觸(
SAC)方法，在保持與過去產品兼容以及高度可靠性和產品質量的同時，這種方法還使恒憶閃存產品得以不斷升級。
恒憶正在一定的密度和數量范圍內檢測新產品樣片，計劃今年推出采用這項新技術的產品。預計
2010年開始量產。恒憶還計劃將此項技術部署到所有的嵌入式閃存解決方案中，把連續(xù)性架構的性能優(yōu)點以及穩(wěn)定性和可靠性擴展到主要嵌入式市場。
