存儲分析相變記憶存儲將加快SSD轉(zhuǎn)型速度
相變記憶體（PCM）是在英特爾、Numonyx和三星等公司推動(dòng)下的一種新興的非易失性技術(shù)，可以成為低成本、更可靠、更快的記憶體，并可以替代閃存記憶體。
一些行業(yè)內(nèi)部人士甚至相信PCM有足夠的潛力來加快數(shù)據(jù)存儲市場從硬盤驅(qū)動(dòng)器（HDD）轉(zhuǎn)型到固態(tài)驅(qū)動(dòng)器（SSD）的進(jìn)程。
其中一位專家就是Ed Doller。他是Numonyx首席技術(shù)官。Numonyx是英特爾與STMicroelectronics的合資公司。Doller表示："PCM是一個(gè)非常有前途的閃存替代技術(shù)。通過這項(xiàng)技術(shù)，業(yè)內(nèi)可以繼續(xù)自信地進(jìn)行從HDD到SSD的轉(zhuǎn)型過程。"
PCM還處于初步階段
不過，PCM仍然還處于初步階段，而且這個(gè)技術(shù)還面臨著一系列問題。Numonyx和三星（三星為Numonyx的PCM產(chǎn)品設(shè)計(jì)市場規(guī)格）什么時(shí)候可以商業(yè)化推出PCM產(chǎn)品？PCM產(chǎn)品的價(jià)格是否可以和閃存記憶體競爭？
惠普負(fù)責(zé)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)服務(wù)器的產(chǎn)品經(jīng)理Richard Tomaszewski表示：“PCM擁有很高的讀取/寫入速度，以及低易失性和高存儲密度。PCM可以避免NAND的缺點(diǎn)以及傳統(tǒng)硬盤驅(qū)動(dòng)器的限制。因此，一些人認(rèn)為PCM將成為繼NAND閃存記憶體技術(shù)之后的下一代技術(shù)�！辈贿^，Tomaszewski表示業(yè)內(nèi)還有一些其他非易失性記憶體技術(shù)--包括電阻記憶體（RRAM）和自旋極化隨機(jī)存取記憶體（STTRAM）--這些技術(shù)也有可能成為可行的替代技術(shù)。Tomaszewski表示："這些技術(shù)還需要進(jìn)一步的測試和開發(fā)才能證明它們是否是可行的。高數(shù)量和高產(chǎn)出率是成功的技術(shù)轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵。"Tomaszewski表示，要替代現(xiàn)有技術(shù)，新技術(shù)必須在可靠性、耐久性和服務(wù)壽命上與原來技術(shù)持平或比原來技術(shù)更好。他表示新技術(shù)需要數(shù)年時(shí)間從實(shí)驗(yàn)室階段轉(zhuǎn)向生產(chǎn)階段以便獲得足夠的產(chǎn)量來達(dá)到規(guī)模可行性并滿足可靠性和耐久性預(yù)期。
相變記憶體到底是什么？
Doller表示，PCM擁有高性能和低能耗的特性，能夠在一個(gè)芯片上結(jié)合NOR、NAND和RAM的最佳特質(zhì)。他表示這些特質(zhì)包括：比特可變性、非易失性、高讀取速度、高寫入/擦除速度以及良好的可擴(kuò)展性。
比特可變性：和RAM或EEPROM（電可擦可編程只讀存儲器）一樣，PCM是比特可變的--也就是說存儲的信息可以從1切換成0，或從0切換成1，這個(gè)過程中無需擦除步驟。閃存記憶體技術(shù)需要單獨(dú)的擦除步驟來改變信息。
非易失性：PCM是非易失的，就像NOR閃存和NAND閃存一樣。PCM不需要持續(xù)的電源供應(yīng)來保持信息，而RAM則需要。
