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中國(guó)晶圓廠(chǎng)跨入BCD工藝搶進(jìn)模擬IC更上層樓
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中國(guó)晶圓廠(chǎng)跨入BCD工藝搶進(jìn)模擬IC更上層樓  2012/3/1
我國(guó)不少晶圓廠(chǎng)受限于6英寸、8英寸工藝條件,雖無(wú)法朝先進(jìn)工藝邁進(jìn),不過(guò)卻在成熟工藝另覓一片春天,包括上海先進(jìn)、華虹NEC皆積極發(fā)展模擬成熟工藝。其中日前傳出將赴香港掛牌上市的華虹NEC宣布,第三季度將完成0.35微米40伏BCD工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)。過(guò)去我國(guó)晶圓廠(chǎng)多著重入門(mén)級(jí)雙載子(Bipolar)工藝,如今積極跨入工藝較為復(fù)雜的BCD(Bipolar、CMOS、DMOS)工藝,工藝技術(shù)方面更上層樓,值得企業(yè)重視。上海華虹NEC宣布,目前正與技術(shù)合作伙伴共同開(kāi)
  我國(guó)不少晶圓廠(chǎng)受限于6英寸、8英寸工藝條件,雖無(wú)法朝先進(jìn)工藝邁進(jìn),不過(guò)卻在成熟工藝另覓一片春天,包括上海先進(jìn)、華虹NEC皆積極發(fā)展模擬成熟工藝。其中日前傳出將赴香港掛牌上市的華虹NEC宣布,第三季度將完成0.35微米40伏BCD工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)。過(guò)去我國(guó)晶圓廠(chǎng)多著重入門(mén)級(jí)雙載子(Bipolar)工藝,如今積極跨入工藝較為復(fù)雜的BCD(Bipolar、CMOS、DMOS)工藝,工藝技術(shù)方面更上層樓,值得企業(yè)重視。

上海華虹NEC宣布,目前正與技術(shù)合作伙伴共同開(kāi)發(fā)新技術(shù),預(yù)計(jì)將跨入0.35微米BCD工藝技術(shù)。同時(shí)這項(xiàng)工藝工序設(shè)計(jì)配套平臺(tái)及IP數(shù)據(jù)庫(kù)也已建置完成。華虹NEC預(yù)計(jì),最快將在第三季度開(kāi)發(fā)完成0.35微米、40伏的BCD工藝,對(duì)外供客戶(hù)采用。華虹NEC指出,這套工藝技術(shù)主要是針對(duì)模擬及電源管理IC、汽車(chē)芯片等市場(chǎng)所量身訂做。

華虹NEC總裁劉文韜表示,電源管理IC向來(lái)是華虹NEC的重要目標(biāo)市場(chǎng)之一。而B(niǎo)CD工藝技術(shù)融合Bipolar、CMOS和DMOS,綜合了高速、較高電壓及低功耗等優(yōu)點(diǎn),更能符合未來(lái)電子產(chǎn)品內(nèi)需要電壓變化、電容保護(hù)和延長(zhǎng)電池壽命等IC要件。而華虹NE  
C近來(lái)好消息不斷,包括接手上海貝嶺8英寸廠(chǎng),以及傳出將赴香港進(jìn)行股票上市(IPO),預(yù)計(jì)籌資3億美元用來(lái)擴(kuò)產(chǎn)。

我國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)指出,由于目前受限于資源集中,國(guó)內(nèi)晶圓廠(chǎng)僅中芯國(guó)際、武漢新芯及無(wú)錫海力士(Hynix)、意法半導(dǎo)體(STM)所合資的3座12英寸廠(chǎng)。而大多數(shù)內(nèi)陸晶圓廠(chǎng)仍多以8英寸、6英寸居多,盡管12英寸晶圓工藝上受限,不過(guò)6、8英寸晶圓廠(chǎng)近幾年積極靠消費(fèi)IC及智能卡芯片等內(nèi)陸需求快速起飛,加上電源管理IC等新興模擬市場(chǎng),對(duì)于我國(guó)晶圓廠(chǎng)來(lái)說(shuō),仍到處充滿(mǎn)良機(jī)。

事實(shí)上,包括上海先進(jìn)及中芯國(guó)際也積極跨入模擬IC領(lǐng)域,中芯與高通(Qualcomm)曾宣布共同攜手在天津廠(chǎng)生產(chǎn)BiCMOS工藝手機(jī)芯片;而上海先進(jìn)也計(jì)劃將旗下5英寸、6英寸廠(chǎng)合并并升級(jí)為6英寸廠(chǎng),并已展開(kāi)模擬IC的BCD工藝認(rèn)證,更獲Sipex模擬IC訂單,尤其在大股東飛利浦及客戶(hù)恩智浦(NXP)帶動(dòng)下,將是我國(guó)最具潛力的模擬IC代工廠(chǎng)。
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