IBM和其聯(lián)合開發(fā)聯(lián)盟伙伴英飛凌和飛思卡爾半導(dǎo)體以及CommonPlatform技術(shù)伙伴特許半導(dǎo)體和三星電子,簽署了一系列半導(dǎo)體工藝開發(fā)和制造協(xié)議,以期在未來(lái)繼續(xù)保持技術(shù)領(lǐng)先地位。上述公司簽署的聯(lián)合開發(fā)協(xié)議包括32納米CMOS（互補(bǔ)性氧化金屬半導(dǎo)體）工藝技術(shù)及支持該技術(shù)的工藝設(shè)計(jì)套件（PDK）。在之前90納米、65納米和45納米工藝聯(lián)合開發(fā)和制造協(xié)議大獲成功的基礎(chǔ)上,聯(lián)盟伙伴將能夠生產(chǎn)出高性能、低功耗的32納米芯片。聯(lián)盟伙伴計(jì)劃將各
IBM和其聯(lián)合開發(fā)聯(lián)盟伙伴英飛凌和飛思卡爾半導(dǎo)體以及Common Platform技術(shù)伙伴特許半導(dǎo)體和三星
電子,簽署了一系列半導(dǎo)體工藝開發(fā)和制造協(xié)議,以期在未來(lái)繼續(xù)保持技術(shù)領(lǐng)先地位。
上述公司簽署的聯(lián)合開發(fā)協(xié)議包括32納米
CMOS（互補(bǔ)性氧化金屬半導(dǎo)體）工藝技術(shù)及支持該技術(shù)的工藝設(shè)計(jì)套件（
PDK）。在之前90納米、65納米和45納米工藝聯(lián)合開發(fā)和制造協(xié)議大獲成功的基礎(chǔ)上,聯(lián)盟伙伴將能夠生產(chǎn)出高性能、低功耗的32納米芯片。
聯(lián)盟伙伴計(jì)劃將各自的專業(yè)技術(shù)匯聚起來(lái),在設(shè)計(jì)、開發(fā)和制造技術(shù)方面進(jìn)行協(xié)作,協(xié)作將一直持續(xù)到
2010年。這些技術(shù)作為廣泛系統(tǒng)的領(lǐng)先平臺(tái)——從下一代手持設(shè)備到世界上性能最強(qiáng)的超級(jí)計(jì)算機(jī),可被五家聯(lián)盟伙伴和其他公司用來(lái)解決諸如醫(yī)藥、通訊、交通和安全等領(lǐng)域的現(xiàn)實(shí)問(wèn)題。
協(xié)作創(chuàng)新是保持領(lǐng)先的關(guān)鍵所在
“IBM仍然相信,不管是現(xiàn)在還是未來(lái),在一個(gè)開放的合作伙伴體系中開展協(xié)作創(chuàng)新,是保持技術(shù)領(lǐng)先地位的關(guān)鍵所在,”IBM全球工程解決方案部半導(dǎo)體解決方案總經(jīng)理Michael Cadigan說(shuō),“今天發(fā)布的新聞驗(yàn)證了滿足客戶領(lǐng)先技術(shù)要求的戰(zhàn)略。隨著我們的協(xié)議擴(kuò)展至32納米技術(shù)——包括我們對(duì)已開展逾十年之久的聯(lián)合開發(fā)模式進(jìn)行補(bǔ)充的研究和制造,IBM正與其聯(lián)盟伙伴密切合作,推出能顯著改變我們生活、工作和娛樂(lè)方式的前沿技術(shù)�！�
“英飛凌繼續(xù)奉行與聯(lián)盟伙伴聯(lián)手開發(fā)和投產(chǎn)最先進(jìn)技術(shù)的成功戰(zhàn)略,”英飛凌基礎(chǔ)技術(shù)和服務(wù)部門高級(jí)副總裁Franz Neppl博士說(shuō),“聯(lián)合開發(fā)的技術(shù),加上英飛凌的應(yīng)用和產(chǎn)品設(shè)計(jì)能力,將使得英飛凌能夠?yàn)槠渫ㄐ藕推?工業(yè)領(lǐng)域的核心客戶提供經(jīng)濟(jì)合算的硅芯片解決方案和制造能力�！�
“32納米技術(shù)將遭遇材料和器件結(jié)構(gòu)方面新的重大挑戰(zhàn),”三星電子系統(tǒng)
LSI部ASIC/晶圓業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁KP
Suh說(shuō),“我們期望和擁有業(yè)內(nèi)眾多領(lǐng)先技術(shù)的伙伴一起努力,推出突破性技術(shù)�！�
作為Common Platform技術(shù)制造廠商的IBM、特許半導(dǎo)體和三星將能夠利用聯(lián)合開發(fā)出的32納米工藝技術(shù)和設(shè)計(jì)套件,使它們的制造工廠保持同步。這有助于它們?cè)跒楦髯缘母弋a(chǎn)
OEM客戶靈活生產(chǎn)幾近相同的芯片,這些OEM客戶要求采用多方外包模式并希望盡早獲得工藝技術(shù)。
五家公司在聯(lián)手推出業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的、用于高性能低待機(jī)功耗產(chǎn)品的技術(shù)時(shí),將：
在保持出色性能的同時(shí),專注于降低成本和復(fù)雜性;在后端工序（BEOL）應(yīng)用新材料,如高介電常數(shù)金屬柵極(
high-k/metal gate)、先進(jìn)的應(yīng)力工程材料,以及超低介電常數(shù)薄膜;應(yīng)用尖端的浸沒(méi)式光刻技術(shù),使密度和芯片尺寸具有競(jìng)爭(zhēng)力;致力于為數(shù)字通信市場(chǎng)提供優(yōu)秀的模擬產(chǎn)品;為
RF CMOS和嵌入式DRAM等衍生技術(shù)提供平臺(tái)。
