為了滿足新一代高密度片上非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的需求,日立有限公司與瑞薩科技公司宣布開發(fā)出運(yùn)行于1.5V電源電壓的512KB（相當(dāng)于4Mb）相變存儲(chǔ)模塊。該器件能夠?qū)崿F(xiàn)416KB/s的寫入速度和20ns的讀取時(shí)間。利用以前開發(fā)的100μA（Micro*2安培）寫入操作電流的“低功耗相變存儲(chǔ)單元”,兩家公司開發(fā)了一種可以實(shí)現(xiàn)高速讀寫操作的外設(shè)電路技術(shù)。日立和瑞薩科技在2007年2月11日在美國(guó)舊金山舉行的國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上提交了有關(guān)報(bào)告。
為了滿足新一代高密度片上非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的需求,
日立有限公司與瑞薩科技公司宣布開發(fā)出運(yùn)行于1.5V
電源電壓的
512KB（相當(dāng)于4Mb）相變存儲(chǔ)
模塊。該器件能夠?qū)崿F(xiàn)
416KB/s的寫入速度和20ns的讀取時(shí)間。利用以前開發(fā)的
100μA（Micro*2安培）寫入操作
電流的“低功耗相變存儲(chǔ)單元”,兩家公司開發(fā)了一種可以實(shí)現(xiàn)高速讀寫操作的外設(shè)電路技術(shù)。
日立和瑞薩科技在2007年2月
11日在美國(guó)舊金山舉行的國(guó)際
固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上提交了有關(guān)報(bào)告。
最近幾年,微控制器已成為車載系統(tǒng)、家庭電子產(chǎn)品和移動(dòng)電話等各種類型控制和信息設(shè)備及工業(yè)設(shè)備的核心元件。隨著產(chǎn)品變得越來(lái)越復(fù)雜和多功能,這些微控制器處理的信息量也在迅速增加。因此,這些微控制器的片上非易失性存儲(chǔ)器需要更高的性能和密度來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序。與此同時(shí),由于寫周期的高度耐用性、簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)和易于制造,相變存儲(chǔ)器正在成為新一代片上非易失性存儲(chǔ)器有前途的候選者。
相變存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器,它是利用電流產(chǎn)生的焦耳熱量形成的一種雙相變的薄膜
電阻—— 一種是非晶態(tài)*3（高阻值）,另一種是晶態(tài)（低阻值）。利用這種電阻的“1”和“0”信息的差異,即可執(zhí)行存儲(chǔ)和讀出操作。日立和瑞薩科技以前開發(fā)過(guò)一種低功耗操作相變存儲(chǔ)器,它在界面層使用了五氧化鉭,可以利用1.5V電源電壓和100μA電流進(jìn)行寫操作。與傳統(tǒng)的片上非易失性存儲(chǔ)器相比,這種存儲(chǔ)器可以降低寫電壓,在芯片內(nèi)無(wú)需使用產(chǎn)生高壓的電源電路,從而有助于減小模塊尺寸,并實(shí)現(xiàn)更高的密度。不過(guò),由于讀取電流很小,存儲(chǔ)器陣列電路技術(shù)非常關(guān)鍵,這樣才能保證在小電流條件下實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)行。
