晶體管的置換（代換）原則
我們?cè)诰S修、設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)或試制中，常常會(huì)碰到晶體管的置換（代換）問題。如果掌握了晶體管的置換（代換）原則，就能使工作初有成效。其置換（代換）原則可劃分為三種：即類型相同、特性相近、外形相似。
一、類型相同
1.材料相同。即鍺管換鍺管，硅管換硅管。
2.極性相同。即NPN型管換NPN型管，PNP型管換PNP型管。
3.實(shí)際型號(hào)一樣，標(biāo)注方法不同，如1555同2SD1555;R1201同GR1201;3DG9014同9014；貼片管用代號(hào)來代表原型號(hào)等。但不排除同一型號(hào)因?yàn)樯a(chǎn)廠家的不同，參數(shù)差別極大的情況。
二、特性相近
用于置換（代換）的晶體管應(yīng)與原晶體管的特性要相近，它們的主要參數(shù)值及特性曲線應(yīng)相差不多或優(yōu)于原管，對(duì)于不同的電路，應(yīng)有所偏重。一般來說，只要下述主要參數(shù)相近，即可滿足置換（代換）要求。
1.集電極最大直流耗散功率(Pcm)
一般要求用Pcm與原管相等或較大的晶體管進(jìn)行置換（代換）。如果原晶體管在整機(jī)電路中實(shí)際直流耗散功率遠(yuǎn)小于其Pcm，也可以用Pcm較小的晶體管置換（代換）。
2.集電極最大允許直流電流（Icm）
一般要求用Icm與原管相等或較大的晶體管進(jìn)行置換（代換）。
實(shí)際不同廠家關(guān)于Icm的規(guī)定有所不同，有時(shí)差別很大，我們要注意到廠家給出的測試條件。常見的有以下幾種：
⑴根據(jù)集電極引線允許通過的最大電流值確定Icm。這個(gè)數(shù)值可能很大，例如，一只Pcn=200mW的晶體管，其Icm可能會(huì)超過1A。
⑵根據(jù)Pcm確定Icm，即Pcm=Icm×Uce確定Icm。這個(gè)規(guī)定下的Pcm值比普通晶體管較小，比開關(guān)管較大，例如Pcm都是10W的普通晶體管2SC2209和開關(guān)管2SC2214，其Icm值卻分別為1.5A和4A。
⑶根據(jù)晶體管參數(shù)（飽和壓降、電流放大系數(shù)等）允許變化的極限值確定Icm。例如3DD103A晶體管的Icm是按其β值下降到實(shí)測值的1/3時(shí)確定的（Icm=3A）。
3.擊穿電壓
用于置換（代換）的晶體管，必須能夠在整機(jī)中安全地承受最高工作電壓。晶體管的擊穿電壓參數(shù)主要有以下5個(gè)：
⑴BVcbo：集電極-基極擊穿電壓。它是指發(fā)射極開路，集電極電流Ic為規(guī)定值時(shí)，集電極-基極間的電壓降（該電壓降稱為對(duì)應(yīng)的擊穿電壓，以下的相同）。
⑵BVceo：集電極-發(fā)射極擊穿電壓。它是指基極開路，集電極電流Ic為規(guī)定值時(shí)，集電極-發(fā)射極的電壓降。
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⑶BVces：基極-發(fā)射極短路，集電極-發(fā)射極的擊穿電壓。
⑷BVcer：基極-發(fā)射極串聯(lián)電阻，集電極-發(fā)射極的電壓降。
⑸BVebo：集電極開路，發(fā)射極-基極的擊穿電壓。
在晶體管置換（代換）中，主要考慮BVcbo和BVceo，對(duì)于開關(guān)晶體管還應(yīng)考慮BVebo。一般來說，同一晶體管的BVcbo＞BVceo。通常要求用于置換（代換）的晶體管，其上述三個(gè)擊穿電壓應(yīng)不小于原晶體管對(duì)應(yīng)的三個(gè)擊穿電壓。
4.頻率特性
晶體管頻率特性參數(shù)，常用的有以下4個(gè)：
⑴特征頻率fT：它是指在測試頻率足夠高時(shí)，使晶體管共發(fā)射極電流放大系數(shù)β=1時(shí)的頻率。
