飛兆半導體的MicroFET™系列產品可在廣泛的低電壓應用中節(jié)省空間并延長電池壽命
飛兆半導體公司 (FairchildSemiconductor) 推出11種新型MicroFET™MOSFET產品,提供業(yè)界最廣泛的的散熱增強型超緊湊、低高度 (2 x 2 x 0.8mm) 器件,面向30V和20V以下的低功耗應用,包括移動電話、數碼相機、游戲機、遠程POS終端,以及其它大批量的便攜式產品。這些產品需要空間優(yōu)化和為了延長電池壽命和保證可靠性而需要優(yōu)秀的散熱和電氣性能。MicroFET功率開關結合飛兆半導體的先進PowerTrench® 技術和業(yè)界標準的模塑無鉛封裝 (MLP),因此,較之于傳統使用大型封裝的功率MOSFET,MicroFET 器件在散熱性能和節(jié)省空間方面有著顯著優(yōu)勢。
飛兆半導體低壓功率業(yè)務市務總監(jiān)Chris Winkler稱：“飛兆半導體提供了面向低壓應用最全面的產品系列。這些易于實現和節(jié)省空間的高性能MOSFET,是所有用戶的低壓開關和功率管理/電池充電系統的理想選擇。在2005年,飛兆半導體率先推出MLP封裝的MicroFET,具有以往在SC-70外形中使用SSOT-6器件才能提供的高性能。飛兆半導體此次推出11種新器件,為客戶提供了更多擴充的MicroFET產品系列的選擇�！�
這些無鉛器件能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標準要求,并符合現已生效的歐盟標準。(陳愛思)
