如果使用圖1中的電路,那么您不用求助于電噪聲很大的DC/DC轉(zhuǎn)換器,也不必在降壓電阻器中浪費(fèi)功率,就能從電壓較高并經(jīng)整流的正弦電壓源獲得5VDC等很低的穩(wěn)定電壓。該應(yīng)用需要一個(gè)穩(wěn)定的5VDC源,但是變壓器向全波橋式整流器供應(yīng)18Vrms。在充電階段,兩個(gè)等值電解電容器C1和C2在通過正向偏置二極管D1和D2串聯(lián)時(shí),會(huì)接收充電電流。一個(gè)增強(qiáng)型P溝道MOSFET晶體管Q1,型號(hào)為IRF9530,其柵極接收了由于齊納二極管D4的正向電壓降因而略微為正值的反
如果使用圖1中的電路,那么您不用求助于電噪聲很大的DC/DC轉(zhuǎn)換器,也不必在降壓
電阻器中浪費(fèi)
功率,就能從電壓較高并經(jīng)整流的正弦電壓源獲得5VDC等很低的穩(wěn)定電壓。該應(yīng)用需要一個(gè)穩(wěn)定的5VDC源,但是
變壓器向全波橋式
整流器供應(yīng)18Vrms。在充電階段,兩個(gè)等值電解
電容器C
1和C
2在通過正向偏置
二極管D
1和D
2串聯(lián)時(shí),會(huì)接收充電
電流。一個(gè)增強(qiáng)型P溝道
MOSFET晶體管Q
1,型號(hào)為 IRF9530,其柵極接收了由于齊納二極管D
4的正向電壓降因而略微為正值的反向柵極偏置電壓,因此保持?jǐn)嚅_。每個(gè)電容器均充到大約為整流電壓峰值的一半與D
1和D
2帶來的正向電壓降之間的差值。全波橋式整流器D
5,即Graetz橋,產(chǎn)生了這些電壓降（參考文獻(xiàn)1）。
當(dāng)放電階段開始時(shí),D1獲得反向偏置,而電容器C2則通過穩(wěn)壓器IC1帶來的負(fù)載放電。隨后,二極管D1的陽(yáng)極電壓繼續(xù)下降,Q1的柵極至源極電壓變?yōu)樨?fù),并且晶體管導(dǎo)通,使C1能通過正向偏置二極管D3向負(fù)載放電。事實(shí)上,兩個(gè)電容器串聯(lián)充電,并且向負(fù)載并聯(lián)放電,從而把IC1輸入端的原始整流電壓和紋波電壓降低了一半。在C1放電期間,齊納二極管D4把Q1的柵極至源極電壓箝位在其最高額定值范圍內(nèi),由此來保護(hù)Q1。
為了正常運(yùn)行,該電路需要最低負(fù)載電流,穩(wěn)壓器的靜態(tài)耗電電流通常夠用。另外,電容器C2一直充到來自D5的峰值電壓。C1和C2的值以及其余元件的額定值取決于要求的最高負(fù)載電流。電阻器R1和R2的值并不關(guān)鍵。請(qǐng)注意Q1充當(dāng)開關(guān);選擇某種導(dǎo)通電阻很低的器件就能限制Q1的功率耗散。
