WJ通訊公司（納斯達(dá)克股票交易所代號(hào)：WJCI）是從事射頻（RF）解決辦法的領(lǐng)先設(shè)計(jì)公司和供應(yīng)商,它的產(chǎn)品用于無線設(shè)施（wirelessinfrastructure）和射頻識(shí)別（RFID）讀出技術(shù),今日宣布研制成功令人振奮的28VInGaPHBT技術(shù),用于移動(dòng)基本設(shè)施的功率放大器。與市場上現(xiàn)有的其他技術(shù)比較,這項(xiàng)技術(shù)在功率輸出和效率方面具有顯著的優(yōu)點(diǎn)。這種28V工藝是在WJ通訊公司現(xiàn)有的5VInGaPHBT工藝的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的,已經(jīng)通過實(shí)踐證明它是可靠性很高
WJ通訊公司（納斯達(dá)克股票交易所代號(hào)：WJCI）是從事射頻（
RF）解決辦法的領(lǐng)先設(shè)計(jì)公司和供應(yīng)商,它的產(chǎn)品用于無線設(shè)施（wireless infrastructure）和射頻識(shí)別（RFID）讀出技術(shù),今日宣布研制成功令人振奮的28 V InGaP HBT技術(shù),用于移動(dòng)基本設(shè)施的
功率放大器。與市場上現(xiàn)有的其他技術(shù)比較,這項(xiàng)技術(shù)在功率輸出和效率方面具有顯著的優(yōu)點(diǎn)。這種28 V工藝是在WJ通訊公司現(xiàn)有的5 V InGaP HBT工藝的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的,已經(jīng)通過實(shí)踐證明它是可靠性很高的工藝,適合移動(dòng)基礎(chǔ)設(shè)備使用。使用這種新的28 V工藝制造的幾種新產(chǎn)品正在研制之中,將在2006年第三季度推出。
“對于研究成功這項(xiàng)新的28V InGaP HBT工藝,我們感到十分振奮。這項(xiàng)技術(shù)顯著地提高了鄰近頻道功率比/鄰近頻道泄漏比（ACPR/ACLR）性能,而效率與市場上目前的LDMOS產(chǎn)品相當(dāng)或者更高�！盬J通訊公司負(fù)責(zé)工程技術(shù)的副總裁Morteza Saidi說道。“用這項(xiàng)技術(shù)制造的器件可以作為B類放大器使用,由于獨(dú)特的電路設(shè)計(jì)（已經(jīng)申請專利權(quán)）,它的ACPR/ACLR性能仍然很好。我們初步計(jì)劃推出幾種1
dB壓縮點(diǎn)（P1dB）功率為10 W的產(chǎn)品,這項(xiàng)技術(shù)也適合于制造功率更大的產(chǎn)品。”
