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根據(jù)《網(wǎng)絡(luò)世界》報(bào)道： 美國(guó)Rochester大學(xué)的科學(xué)家們發(fā)明了一種新的“彈道參數(shù)計(jì)算”芯片設(shè)計(jì),采用這種設(shè)計(jì)方法可以制造3000千兆赫（3兆兆赫）的芯片,而且發(fā)熱量很小。

該大學(xué)計(jì)算機(jī)工程教授Marc Feldman表示,這種“彈道偏轉(zhuǎn)晶體管（BDT）”設(shè)計(jì)所帶來的變化是根本性的。標(biāo)準(zhǔn)晶體管不斷縮小存在一個(gè)難以克服的問題。按照當(dāng)前的晶體管設(shè)計(jì),電容層在尺度極小的時(shí)候會(huì)出現(xiàn)問題,而BDT則沒有電容層。

提出這個(gè)設(shè)計(jì)思路的該校研究生Quentin Diduck稱BDT是在繼電器、電子管和半導(dǎo)體之后技術(shù)進(jìn)化軌跡的下一發(fā)展階段。

據(jù)Rochester大學(xué)稱,BDT利用電子傾向于“游離”的慣性將電子“彈”入選定的彈道,而不是用強(qiáng)制性外力將其放入合適的位置。正是采用這種方法,能耗要求大大降低。

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