多元市場推動NOR閃存的發(fā)展
2006年8月7日至9日在美國加州圣何塞舉辦的閃存峰會（FlashMemory Summit 2006）成為了主流廠商對當(dāng)前業(yè)界趨勢和發(fā)展前景溝通交流的平臺。此次峰會的主席Jay Kramer先生表示“即使閃存市場的增長迅速,閃存行業(yè)仍然面對著許多挑戰(zhàn),例如,比硬盤高很多的單位比特成本”。
NOR閃存架構(gòu)提供了高可靠性和快速讀取性能,是在手機和其他電子器件中進行代碼存儲與直接執(zhí)行的理想之選。然而,在需求持續(xù)增長的市場環(huán)境下,單位比特成本高成為了NOR閃存發(fā)展的最大障礙。
市場需求不斷增長
“第二季度向來是NOR閃存市場一年中最淡的季節(jié),”iSuppli資深分析師Mark DeVoss表示,“但是,今年第二季度銷售額卻比第一季度上升了6%�！�
2006年第二季度NOR閃存銷售額比去年同期上升近19%。平均銷售價格（ASP）下降速度放緩和高存儲密度（大于64Mb）器件出貨量增長推動了NOR閃存銷售額的增長。這表明不僅其核心市場——手機市場的用量較大,NOR閃存在機頂盒、數(shù)字電視和汽車電子等消費產(chǎn)品中的應(yīng)用也不斷增加。
產(chǎn)品推陳出新
據(jù)蜂窩電話行業(yè) GSM 協(xié)會估計,全球大約僅有20％的人口使用手機,這樣低的比例在很大程度上是由于其高成本所致。為適應(yīng)新興低成本手機不斷增長的市場需求,Intel推出了容量32～256Mb 的NOR 閃存產(chǎn)品,并通過使用多芯片封裝可選擇附加的RAM。新產(chǎn)品采用全新的共享引腳封裝,將引腳數(shù)降至最低,產(chǎn)品經(jīng)過配置,能夠與領(lǐng)先芯片組廠商提供的低成本、單芯片基帶及射頻（RF）解決方案共同使用。
ST推出了存儲密度16～256Mb的一系列含有地址-數(shù)據(jù)多路復(fù)用I/O的閃存IC,目標(biāo)應(yīng)用包括高速增長的成本效益型和注重價值的移動平臺市場。
和以往相比,NOR 閃存的市場更加多元化。
ST專門為可靠性要求極高的汽車應(yīng)用而設(shè)計的新一代串行閃存芯片,密度范圍1～4Mb。這些產(chǎn)品獲得了汽車級產(chǎn)品質(zhì)量**,并通過了AEC-Q100標(biāo)準認證。
性價比如何提升
1 與NAND技術(shù)的融合
和NOR閃存相比,單位比特成本低是NAND閃存的優(yōu)勢。于是,將NOR的高可靠性與NAND的低成本優(yōu)勢相結(jié)合的混合解決方案應(yīng)運而生。
MirrorBit ORNAND是Spansion專為整合的閃存市場而優(yōu)化的數(shù)據(jù)存儲解決方案。它提供了一個NAND接口和出色的成本結(jié)構(gòu),且同時具有NOR閃存的可靠性和快速讀取的性能,能夠為汽車電子、家庭娛樂、網(wǎng)絡(luò)和無線市場提供數(shù)據(jù)存儲。
Samsung的OneNAND芯片也是基于NAND架構(gòu),并整合了SRAM 緩存和邏輯接口,兼具NOR 閃存的高速數(shù)據(jù)讀取和NAND閃存的先進數(shù)據(jù)存儲性能。
2 制程技術(shù)快速推進
制程技術(shù)的進步也推動了NOR閃存性價比的提升。
Intel副總裁兼閃存產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理 Darin Billerbeck 日前表示：“我們將低成本手持設(shè)備市場視為企業(yè)發(fā)展的契機,移植路徑已經(jīng)就位,在2007年,產(chǎn)品將從130nm和90nm制程技術(shù)向65nm制程技術(shù)過渡�！�
Spansion在美國德州奧斯汀的旗艦工廠Fab25 現(xiàn)已量產(chǎn)90nm MirrorBit ORNAND產(chǎn)品。Fab25也正計劃于2007年過渡到65nm MirrorBit技術(shù)。MirrorBit ORNAND將成為Spansion首個基于65nm工藝的產(chǎn)品。
Spansion已經(jīng)開始建設(shè)位于日本的SP-1制造工廠。SP-1將采用300mm晶圓和45nm工藝進行生產(chǎn)。量產(chǎn)計劃將在2008年中期開始;近日,Spansion宣布進一步擴展與臺積電的合作,增加采用300mm晶圓的90nm MirrorBit技術(shù)。就此,Spansion首席運營官Jim Doran先生表示：“市場對我們的MirrorBit產(chǎn)品的需求非常強勁,通過擴充與領(lǐng)先代工
