IBM、特許半導體、英飛凌科技和三星近日聯(lián)合推出四方合作采用45納米低功耗工藝制造的首批芯片,并開始供應設計套件。關鍵設計元素的早期硅化,加上首批設計套件,能夠讓設計者率先演進至這個由行業(yè)領先的CMOS工藝研發(fā)聯(lián)盟研制的最新工藝。首批設計套件是四大公司聯(lián)合打造的,現(xiàn)已開始供貨。這批首次采用45納米工藝制造的面向下一代通信系統(tǒng)的工作電路,擁有成熟的硅性能,運用了聯(lián)盟伙伴聯(lián)合開發(fā)的工藝。這批芯片在聯(lián)合開發(fā)團隊的駐地—
IBM、特許半導體、英飛凌科技和三星近日聯(lián)合推出四方合作采用45納米低功耗工藝制造的首批芯片,并開始
供應設計套件。關鍵設計元素的早期硅化,加上首批設計套件,能夠讓設計者率先演進至這個由行業(yè)領先的
CMOS工藝研發(fā)聯(lián)盟研制的最新工藝。首批設計套件是四大公司聯(lián)合打造的,現(xiàn)已開始供貨。
這批首次采用45納米工藝制造的面向下一代通信系統(tǒng)的工作電路,擁有成熟的硅性能,運用了聯(lián)盟伙伴聯(lián)合開發(fā)的工藝。這批芯片在聯(lián)合開發(fā)團隊的駐地——IBM設在紐約州East Fishkill的
300毫米晶圓工廠生產(chǎn)。已成功通過驗證的功能塊,有英飛凌提供的標準庫元件、輸入/輸出元件,還有聯(lián)盟開發(fā)的嵌入式存儲器。英飛凌已在首批300毫米晶圓上實現(xiàn)了特殊電路,以測試這個復雜的工藝,并取得產(chǎn)品架構互動方面的初步經(jīng)驗。
