芯片外部開關噪聲
驅動器1由高電平到低電平轉換時的電流路徑如圖1所示，驅動器1對Cp1，進行充電回路在圖1中用實線表示。同時對Cn1進行放電回路在圖中用虛線表示。充、放電產生的電流都是從封裝的地引腳流出，從信號線流回，沒有經過電源引腳；驅動器1由低電平到高電平轉換時，充、放電電流都是從信號線流出，從封裝的電源引腳流回，不經過地引腳。
圖1 驅動器1由高電平向低電平轉換的電流流向圖
不考慮圖1所示中的系統(tǒng)電源電感Ls，僅僅由封裝電感造成的電壓降為
由上式可知，這時芯片地和系統(tǒng)地并不是保持同樣的零電位，而是存在Vgb的電壓波動，稱這種情況為地彈（Ground bounce）。同樣，低電平到高電平轉換時，由于感應電壓的影響，芯片內電源電壓將低于系統(tǒng)電源電壓，稱這種情況為電源反彈（Powerbounce）。
可以采取幾個常用的措施減小地彈：如降低驅動器的邊沿速率，滿足時序要求的最慢邊沿速率將產生最小的噪聲；減小封裝回路電感，即減小自感或者增大互感；在芯片封裝內部使用去耦旁路電容，在這種情況下驅動器1從高電平到低電平轉換時的電流路徑（如圖2所示），附加了額外的充電回路，封裝的電源引腳和地引腳共同分擔充電電流回路，從而減小電壓波動。
圖2 芯片內部加入去耦旁路電容后，驅動器1從高電平到低電平轉換時的電流流向
