由于本設(shè)計(jì)中的變換器的應(yīng)用場合的電壓和電流都比較大,則除考慮效率因素外,選擇高性能功率器件是保證功放性能的重要環(huán)節(jié)。功率器件的特性主要有安全特性、開關(guān)特性和驅(qū)動(dòng)特性等。當(dāng)負(fù)載功率和頻響等指標(biāo)已知時(shí),即可確定功率器件的主要參數(shù),除此之外,還要考慮器件的經(jīng)濟(jì)性、驅(qū)動(dòng)電路是否簡單、安裝和散熱方法等。
隨著電子器件的發(fā)展和現(xiàn)代功率電子技術(shù)的成熟,新型功率半導(dǎo)體器件越采越多,在設(shè)計(jì)中應(yīng)根據(jù)實(shí)際需要選擇合適的功率器件。
1)在幾百kV·A以上的大容量和超大容量的逆變電路中,開關(guān)器件主要以GT0為主,如高壓直流輸電、大型電機(jī)驅(qū)動(dòng)、超大型UPS和大型化學(xué)電源,其容量都在幾百kV·A以上。但是在某些工頻場合下,有時(shí)也用SCR和TRIS,其中SCR主要還用于整流式電源設(shè)各。
2)在幾kV·A到幾百kV·A甚至上MV·A的中大容量的逆變器中,主開關(guān)器件將以IGBT為主,GTR雖然也已被廣泛地應(yīng)用,但是由于其具有驅(qū)動(dòng)功耗大、開關(guān)速度慢和二次擊穿問題等不足,因此將逐步被IGBT和其他新型開關(guān)器件所取代。這個(gè)容量等級(jí)的逆變器最多,應(yīng)用也最普遍,如交流電機(jī)變頻調(diào)速、UPS、逆變式弧焊電源、通信開關(guān)電源、有源濾波裝置、感應(yīng)加熱等。這類逆變器的逆變頻率一般為1OW、25kHz,電源的容量密度適中,比較理想,并且噪聲也比較小。
3)在幾kW以下的逆變電源中,主開關(guān)器件以VMOSFET為主,逆變頻率為幾十kHz至幾百kHz,有的還高達(dá)1MHz以上。這類電源的容量密度高,噪聲很小。如小型UPS、小型變頻器、醫(yī)用電源、照明、汽車、家用電器、小型開關(guān)電源、逆變器、電磁灶等。MOSFET屬于單極型、電壓驅(qū)動(dòng)控制晶體管器件。當(dāng)門控電壓足夠高時(shí),器件完全導(dǎo)通,近似于閉合開關(guān);當(dāng)門控電壓低于門閾值時(shí),器件關(guān)斷。它不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動(dòng)功率小、工作速度高、無二次擊穿問題、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn),常用于中低壓場合,適合本設(shè)計(jì)。
根據(jù)電力電子開關(guān)器件的發(fā)展和各種開關(guān)器件的性能特點(diǎn),在設(shè)計(jì)逆變器電路時(shí),對(duì)于主電路中功率開關(guān)器件的選擇一般應(yīng)該遵循以下幾個(gè)指導(dǎo)原則:
由于功率開關(guān)器件的性能參數(shù)對(duì)逆變電路的性能起著非常關(guān)鍵的作用,則選擇功率MOSFET時(shí)主要考慮功率管的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性。功率管的靜態(tài)特性主要指功率MOSFET的輸出特性、飽和待性、轉(zhuǎn)移特性等;與靜態(tài)特性有關(guān)的參數(shù)主要有通態(tài)電阻、開啟電壓、跨導(dǎo)、最大電壓額定值和最大電流額定值。動(dòng)態(tài)特性主要影響功率MOSFET的開關(guān)過程,它和GTR的開關(guān)過程相似,也分為幾個(gè)階段;但是由于功率MOSFET是單極型器件,是靠多數(shù)載流子傳導(dǎo)電流的,本身的電阻效應(yīng)和渡越效應(yīng)對(duì)開關(guān)過程的影響可以忽略不計(jì),因此在開關(guān)工作的機(jī)理上又與GTR有較大的差別。