安森美半導(dǎo)體拓展功率MOSFET產(chǎn)品系列,推出18款新計算器件功率MOSFET優(yōu)化直流-直流轉(zhuǎn)換并降低CPU/GPU供電、直流－直流轉(zhuǎn)換器及高低端轉(zhuǎn)換中的臨界電流水平功耗安森美半導(dǎo)體推出18款優(yōu)化直流－直流轉(zhuǎn)換并降低臨界電流水平功耗的新型功率MOSFET器件。這些功率MOSFET適用于計算應(yīng)用中的CPU/GPU供電,直流－直流轉(zhuǎn)換及高低端開關(guān),如臺式機(jī)、筆記本電腦和服務(wù)器中。這些新型的30伏(V),35到191安培(A)的器件是單個N-溝道MOSFET提供較低RDS(
安森美半導(dǎo)體拓展
功率MOSFET產(chǎn)品
系列,推出18款新計算器件
功率MOSFET優(yōu)化直流-直流轉(zhuǎn)換并降低CPU/
GPU 供電、直流－直流轉(zhuǎn)換器及高低端轉(zhuǎn)換中的臨界
電流水平功耗
安森美半導(dǎo)體推出18款優(yōu)化直流－直流轉(zhuǎn)換并降低臨界電流水平功耗的新型功率MOSFET器件。這些功率MOSFET適用于計算應(yīng)用中的CPU/GPU供電,直流－直流轉(zhuǎn)換及高低端
開關(guān),如臺式機(jī)、
筆記本電腦和服務(wù)器中。
這些新型的30伏(V),35到191安培(A)的器件是單個N-溝道MOSFET提供較低RDS(
on)以盡量降低功耗。器件的門極電荷和門極電荷比也小,降低導(dǎo)電和開關(guān)損耗,使
電源效率更高。
安森美半導(dǎo)體PowerFET部副總裁David Garafano說:“為了幫助我們的客戶滿足特定應(yīng)用的需要,安森美半導(dǎo)體一直在拓展PowerFET產(chǎn)品系列,以提供業(yè)內(nèi)品種最多的MOSFET。因?yàn)榘采腊雽?dǎo)體有
多種生產(chǎn)這些新型MOSFET器件的制造資源,所以我們可以有效地處理突發(fā)的需求變化并進(jìn)一步確保準(zhǔn)時供貨�！�
器件
其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封裝,而每10,000片的批量預(yù)算單價在0.
40至0.87美元之間。
器件
VDS ID Rd
son @ 10 V Qg (典型)
• NTD4804N 30 V
117 A 4 mΩ 30 nC
• NTD4805N 30 V 88 A 5 mΩ 20.5 nC
• NTD4806N 30 V 76 A 6 mΩ
15 nC
