松下電器產(chǎn)業(yè)有限公司（MatsushitaElectricIndustrialCo.,Ltd.）與瑞薩科技公司（RenesasTechnologyCorp.）日前宣布,兩家公司已開始對45nmSoC（系統(tǒng)級芯片）半導(dǎo)體制造技術(shù)進(jìn)行全面整合1測試。該工藝技術(shù)是業(yè)界第一次利用1.0以上的數(shù)值孔徑（NA）和ArF（氬氟化物）浸入式微影系統(tǒng)2進(jìn)行的全面整合。兩家公司于2005年10月開始實(shí)施45nm結(jié)點(diǎn)工藝開發(fā)項(xiàng)目,且早在1998年就在上一代工藝開發(fā)方面進(jìn)行了合作。預(yù)期目前的聯(lián)合開發(fā)項(xiàng)目將在200
松下電器產(chǎn)業(yè)有限公司（Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.）與瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）日前宣布,兩家公司已開始對45nm
SoC（系統(tǒng)級芯片）半導(dǎo)體制造技術(shù)進(jìn)行全面整合1 測試。該工藝技術(shù)是業(yè)界第一次利用1.0以上的數(shù)值孔徑（NA）和ArF（氬氟化物）浸入式微影系統(tǒng)2進(jìn)行的全面整合。兩家公司于2005年
10月開始實(shí)施45nm結(jié)點(diǎn)工藝開發(fā)項(xiàng)目,且早在1998年就在上一代工藝開發(fā)方面進(jìn)行了合作。
預(yù)期目前的聯(lián)合開發(fā)項(xiàng)目將在2007年6月完成,開始投入量產(chǎn)的時(shí)間是2008財(cái)年。新的45nm工藝將用來制造松下和瑞薩用于先進(jìn)移動(dòng)產(chǎn)品和網(wǎng)絡(luò)消費(fèi)類電子產(chǎn)品的系統(tǒng)級芯片。除了先進(jìn)級的ArF浸入式光刻外,兩家公司還計(jì)劃在開發(fā)項(xiàng)目中采用其他新技術(shù),包括引入應(yīng)力的高遷移率晶體管3和ELK（K = 2.4）多層布線
模塊4。
兩家公司首次合作開發(fā)下一代SoC技術(shù)是在1998年,還是在瑞薩科技成立之前。這個(gè)新項(xiàng)目是雙方從2005年10月開始合作的第五階段的一部分。給人留下深刻印象的記錄包括,
2001年完成的130nm DRAM融合工藝、
2002年的90nm SoC工藝,以及
2004年的90nm DRAM融合工藝和2005年的65nm SoC工藝結(jié)點(diǎn)開發(fā)項(xiàng)目。
