高頻率、高效率氮化鎵功率器件
許多新興應(yīng)用對(duì)具備更高轉(zhuǎn)換效率的大功率MOSFET提出了迫切需求。目前，硅功率器件主要通過封裝和改善結(jié)構(gòu)來優(yōu)化性能提升效率，不過隨著工藝技術(shù)的發(fā)展這個(gè)改善的空間已經(jīng)不大了，因此對(duì)新型半導(dǎo)體材料的研發(fā)一直是硅功率器件半導(dǎo)體廠商追求突破的重要環(huán)節(jié)。為此，國際整流器公司(IR)推出了首個(gè)商用氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)品系列，預(yù)示著一個(gè)高頻率、高密度、高效電源轉(zhuǎn)換解決方案的全新時(shí)代。全新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負(fù)載點(diǎn)(POL)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，包括服務(wù)器、路由器、交換機(jī)以及通用POL DC/DC轉(zhuǎn)換器。
“iP2010和iP2011系列器件將PowerRtune驅(qū)動(dòng)IC和氮化鎵功率器件集成在一起，采用了無引線封裝，可帶來比最先進(jìn)的硅集成功率級(jí)器件更高的效率和超出雙倍的開關(guān)頻率。與業(yè)內(nèi)最好的功率器件相比，iP2010和iP2011系列器件的峰值效率在600KHz工作頻率時(shí)大于93％；在1.2MHz工作頻率時(shí)大于91％�！眹H整流器公司環(huán)球市場及企業(yè)傳訊副總裁Graham Robertson指出。
iP2010的輸入電壓范圍為7V至13.2V，輸出電壓范圍則為0.6V至5.5V，輸出電流高達(dá)30A。這個(gè)器件最高運(yùn)行頻率為3MHz。在5MHz運(yùn)行時(shí)，與iP2010引腳兼容的iP2011備有相同的輸入和輸出電壓范圍，但后者經(jīng)過優(yōu)化，從而使最高輸出電流高達(dá)20A。通過以通用占位面積提供多種電流額定值器件，IR提供的靈活性能夠滿足不同客戶對(duì)電流水平、性能和成本的要求。此外，這兩種器件采用細(xì)小占位面積的LGA封裝，針對(duì)極低的功率損耗進(jìn)行了優(yōu)化，并提供高效率的雙面冷卻功能，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
iP201x系列高達(dá)5MHz的開關(guān)能力有助于設(shè)計(jì)師顯著減少輸出電容和電感值及尺寸，有助實(shí)現(xiàn)空間緊張的設(shè)計(jì)。因此，iP2010和iP2011大幅度改善了功率密度，與分立方案相比，其系統(tǒng)尺寸縮小40％。與業(yè)界最好的MOS器件相比，其系統(tǒng)方案電路板空間尺寸縮小35％以上，從而降低系統(tǒng)成本。
IR的GaNpowIR是一種革命性的氮化鎵(GaN)功率器件技術(shù)平臺(tái)，與最先進(jìn)的硅技術(shù)平臺(tái)相比，能夠改善客戶主要特定應(yīng)用的性能指數(shù)(FOM)高達(dá)10倍，可以顯著提高性能并節(jié)省能源消耗，目標(biāo)市場包括計(jì)算和通信、汽車和家電等的終端應(yīng)用，可顯著地提升這些應(yīng)用系統(tǒng)的性能并和減少能耗。高產(chǎn)量的150mm硅上氮化鎵外延以及相關(guān)的器件制造工藝，完全符合IR具備成本效益的硅制造設(shè)施，可為客戶提供世界級(jí)的商業(yè)可行的氮化鎵功率器件制造平臺(tái)
