單晶圓FEOL光阻去除創(chuàng)新解決方案問世
單晶濕式處理解決方案提供商SEZ（瑟思）集團日前宣布,己開發(fā)出新型化學(xué)工藝,將極大地改善前段工藝（FEOL）中的光阻去除工藝 。SEZ的專有技術(shù)Enhanced Sulfuric Acid(ESA)去除工藝能夠利用一系列以硫酸為主的化學(xué)試劑,縮減了目前在光阻去除機或者批式環(huán)境中實施的光阻去除工藝的步驟：光阻重修、蝕刻植入后和光阻去除以及在等離子光阻去除工藝之后的殘留物去除等。在數(shù)個重要客戶的單反應(yīng)室R&D設(shè)備上進行的評估實驗證明,這一全濕式化學(xué)方法取得了令人振奮的效果,而且預(yù)計在本年度后期,實施在SEZ多反應(yīng)室FEOL的量產(chǎn)生產(chǎn)設(shè)備上時,有望取得更大的進步。
光阻去除是一個耗時、耗成本的工藝。在FEOL需要將近20個或更多的步驟來完成,其中植入后的光阻去除需要12到15次。由于在整個濕式清洗過程中,等離子光阻去除導(dǎo)致硅片的氧化和后來的氧化物去除,反復(fù)地執(zhí)行這一步驟會導(dǎo)致嚴重的硅片累積損失,進而極大地降低了晶體管的性能。芯片制造商們需要的是能夠應(yīng)對這些挑戰(zhàn)的清洗工藝－在縮減整體步驟的同時,盡可能地減少硅片損失,而且能夠確保更短的工藝時間,以及實實在在的成本節(jié)約。SEZ充分利用了在單晶圓層面的專家技術(shù),開發(fā)出了靈活的全濕式化學(xué)方法,消除了對等離子光阻去除的需求,進而避免了因高溫而產(chǎn)生的缺陷。與批式設(shè)備相比,單晶圓設(shè)備實現(xiàn)了一系列的優(yōu)勢：更好的缺陷控制（雜質(zhì)顆粒在晶圓之間或者在晶圓晶背之間的轉(zhuǎn)移減少）;更好的工藝控制（均勻性得以改善,基材損失控制在最�。�;以及更優(yōu)化的耗材利用率（單晶圓設(shè)備能夠循環(huán)使用化學(xué)試劑）。
SEZ的ESA去除工藝利用了一種增強的硫酸清洗,溫度最高可以達到140℃。到目前為止,該工藝已經(jīng)成功用于去除i-line和深紫外線（DUV）的光阻,以及那些包含大范圍植入離子的光阻。典型的工藝時間非常短,而且在晶圓的正面和背面不會產(chǎn)生很多缺陷。加上該工藝可以循環(huán)使用化學(xué)試劑能以及低耗材損耗等性能,凡此種種,都使得ESA去除工藝有可能在擁有成本上實現(xiàn)重要的改進。
SEZ表示,新的FEOL方法幾乎能夠?qū)崿F(xiàn)與單晶圓濕式技術(shù)相關(guān)聯(lián)的所有主要優(yōu)點：更短的周期、更少的缺陷、更經(jīng)濟地使用化學(xué)試劑、最小的基材損傷以及正如預(yù)期地,整體擁有成本的改善。
